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- 2016-10-27 发布于湖北
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发光原理 对PN结正向注入电流,P区空穴向有源区扩散,N区电子向有源区扩散,结果电子与空穴在有源区复合,以一定频率的光能释放出来。 发光二极管的结构是半导体PN结。结与结之间是产生荧光的复合区,叫有源区。 LED的体积小,结构简单,耗电少,寿命长,造价低,是应用广泛、前景诱人的重要光源。 LED与LD的根本区别在于:LED发光是基于自发辐射,发出的是荧光,是非相干光;LD是靠两端解理面为谐振腔起反射作用来提供光的反馈,是基于受激辐射,发射的是相干光——激光。 一、LED的材料与构型 用于光显示和光电检测。 GaP,Eg=2.24eV,峰值波长555nm,绿光。 GaP:N,掺N量不同,可发绿光(568nm) 或黄光(590nm)。 发光二极管的材料主要是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体。 GaP:ZnO,GaP中掺锌、氧,峰值波长700nm,红光。 GaN,LED的有源层是INGaN多量子阱,随组分的差异可发蓝光(450nm)和发紫光(400nm)。 GaAs, Eg=1.43eV ,峰值867nm,近红外光。 GaAs 1-xPx,GaAs与GaP按比例 (1-x) :x 混合的晶体。GaAs0.6P0.4,发光效率高,响应速度快,记为GaAsP。峰值波长650nm,红光,用得较普遍。 InGaAsP,峰值波长1.3μm、1.55μm。 用于短距离光纤通信。 LED采用双异质结、量
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