微电子技术解剖.ppt

* 重 点 基本概念 微电子、集成电路、集成度 微电子的战略地位 对人类社会的巨大作用 集成电路的几种主要分类方法 按器件类型 按规模 一些英文缩写词 IC、VLSI、ULSI等 * 作 业 简单叙述微电子学对人类社会的作用 解释微电子学、集成电路的概念 列举出你见到的、想到的不同类型的集成电路及其主要作用 * * * * * * * * * * * * * * 亚100纳米MOS器件模拟软件 超低能离子注入工艺模拟软件 CMOS/SOI电路模拟软件 已经销售或推广到多家单位 超深亚微米/纳米器件和电路仿真工具 * 系统集成芯片(SOC)及专用集成电路(ASIC)设计 * SOC设计方法学 软硬件协同设计理论 参数提取(973) 建库技术 IP库(863) 嵌入式微处理器核 专用集成电路设计 信息安全芯片 红外焦平面驱动电路 * 嵌入式微处理器 16位可裁剪的RISC微处理器PKUEP 指令集与ARM7的THUMB指令集兼容，指令功能齐全、代码密度大的特点 三级流水设计 0.8微米工艺，71000个晶体管 * 嵌入式微处理器 与ARM7TDMI指令集兼容微处理器PKURS-001 与ARM7TDMI的ARM和THUMB指令集全兼容 重新设计自主版权的体系结构 采用RTL级设计和晶体管级设计相结合的方式 面向国内工艺 * 红外焦平面读出电路 第一代：小批量生产 第二代：130?130， 64?64两种 采用有源阵列，SCA，DO结构 全画面30桢/sec，功耗小于30微瓦 已通过用户测试 第三代：256?320，已完成实验电路的设计 * 微机电系统(MEMS)技 术 * MEMS EDA技术 建立体硅和表面硅MEMS加工技术 四套完整的MEMS工艺 工艺标准化 多用户系统 开发新的MEMS加工技术 硅帽封装技术 体硅隔离技术 三维刻蚀技术 开发新型MEMS器件和系统 传感MEMS器件：加速度计、陀螺、气体敏感器件 信息MEMS器件：RF器件、光开关 生物MEMS器件 * MEMS加工工艺：刻蚀得到的部分图形 * 利用牺牲层工艺得到的谐振器图形 硅/硅键合样品 MEMS加工工艺 * 应用情况 多种体硅加速度计 横向式体硅陀螺 微机械开关 微机械可变电容 微型气体传感器 微机械光开关 表面微机械加速度计 微流体器件 压力传感器 提供ANSYS仿真服务 设计完成的MEMS器件 MEMS与IC兼容设计平台 * 微加速度计 单悬臂梁加速度计 抗冲击加速度计 三维压阻、电容式加速度计 抗冲击能力12000g * 已开发出2?2光开关阵列 表面微加工与体硅微加工相结合，并利用三维刻蚀技术，克服了二者的不足 采用扭转结构，不会发生磨损 容易扩展到N?N开关阵列 弹性夹紧结构，易于组装 微机械光开关 * RF MEMS器件 移动通信（手机、程控交换机） 器件研究 可变电容 大的初始电容和电容调节范围 --0.164PF 高Q值--60 利用机械定位结构防止机械噪声和电噪声 MEMS领域 * 工艺和结构简单易控，容易形成阵列 可以在高频开关电压下工作20KHz 接触电阻小于1欧姆 容易实现双稳态结构 有实用前景 微继电器 * 集成电路分类 * 集成电路分类 集成电路的分类 器件结构类型 集成电路规模 使用的基片材料 电路形式 应用领域 * 按器件结构类型分类 双极集成电路：主要由双极晶体管构成 NPN型双极集成电路 PNP型双极集成电路 金属-氧化物-半导体(MOS)集成电路：主要由MOS晶体管(单极晶体管)构成 NMOS PMOS CMOS(互补MOS) 双极-MOS(BiMOS)集成电路：同时包括双极和MOS晶体管的集成电路为BiMOS集成电路，综合了双极和MOS器件两者的优点，但制作工艺复杂 优点是速度高、驱动能力强， 缺点是功耗较大、集成度较低 功耗低、集成度高，随着特征 尺寸的缩小，速度也可以很高 * * 按集成电路规模分类 集成度：每块集成电路芯片中包含的元器件数目 小规模集成电路(Small Scale IC，SSI) 中规模集成电路(Medium Scale IC，MSI) 大规模集成电路(Large Scale IC，LSI) 超大规模集成电路(Very Large Scale IC，VLSI) 特大规模集成电路(Ultra Large Scale IC，ULSI) 巨大规模集成电路(Gigantic Scale IC，GSI） * * 基于市场竞争，不断提高产品的性能价格比是微电子技术发展的动力。在新技术的推动下，集成电路自发明以来四十年，集成电路芯片的集成度每三年提高4倍，而加工特征尺寸缩小 倍。这就是由Intel公司创始