第四章化学气相沉积解析.pptVIP

四、能量增强CVD技术－－2、光增强CVD 不需要高真空，设备比较简单。 和PECVD相比，P-CVD没有高能粒子产生的衬底损伤；反应的可控性好。 作为光源，可以使用低压汞灯、氘灯以及从紫外线到红外线的各种激光器，可在气相中混入汞蒸气以提高激励灵敏性。 第四章 化学气相沉积----4.3 CVD技术的种类 作业 1、什么是CVD反应中的边界层？有何影响？ 2、解释质量输运限制CVD工艺和反应速度限制CVD工艺的区别，哪种工艺依赖于温度。 3、什么是LPCVD的优点？ 4、简述PECVD和P-CVD的原理及特点？ 5、写出化学气相沉积制备硅的化学反应方程和主要工艺条件。 6、采用LPCVD TEOS沉积的是什么膜？解释这层膜的优点 第四章 化学气相沉积 二、低压CVD（LPCVD） 中温LPCVD SiO2 当沉积温度控制在680~730℃，用TEOS沉积的SiO2通常有较好的保形性，足以能满足IC生产的要求。 这种沉积一般采用LPCVD技术。热壁反应。（要加入足够的O2） 与APCVD 相比，LPCVD系统有更低的成本，更高的产量和更好的膜性能。 第四章 化学气相沉积----4.3 CVD技术的种类 二、低压CVD（LPCVD） 中温LPCVD SiO2 LPCVD是反应速度限控制的反应，只要严格控制温度，就可以在大量硅片表面沉积均匀的薄膜。 当作为选择氧化的掩蔽膜或者作为DRAM（动态随机存取存储器）中电容的介质层时，由于考虑到薄膜的均匀性和工艺成本，通常是在中温下用LPCVD技术淀积的。 第四章 化学气相沉积----4.3 CVD技术的种类 二、低压CVD（LPCVD） 氮化硅通常在700~800℃下，采用LPCVD 技术，以二氯二氢硅（二氯硅烷，最常用的反应剂）和氨气反应沉积。 3SiCl2H2(g)+4NH3(g)=Si3N4(s)+6HCl(g)+6H2(g) 影响LPCVD氮化硅质量的主要因素为： 温度，总气压、反应剂比例等。 第四章 化学气相沉积----4.3 CVD技术的种类 二、低压CVD（LPCVD） 一般来说，LPCVD氮化硅的薄膜密度很高（2.9-3.1g/cm3），介电常数为6，并界比PECVD氮化硅薄膜有更好的配比。在稀释的HF溶液中的腐蚀速度很低，不到1nm/min，而且H含量也比PECVD氮化硅薄膜的要低。 第四章 化学气相沉积----4.3 CVD技术的种类 二、低压CVD（LPCVD） 此外，LPCVD氮化硅薄膜有比较好的台阶覆盖性和较少的粒子污染。然而这种薄膜，应力大约为105N/cm2，几乎比TEOS（正硅酸四乙酯）淀积的二氧化硅的应力高出一个数量级。高应力可能使厚度超过200nm的氮化硅薄膜发生破裂。 第四章 化学气相沉积----4.3 CVD技术的种类 二、低压CVD（LPCVD） 当用作最终的钝化层时，淀积工艺必须和低熔点金属（例如Al）兼容，这时氮化硅淀积就必须在低温下进行。对于这种低温淀积，首选淀积方法是PECVD。因为它可以在低温（200-400℃）下淀积氮化硅薄膜。 第四章 化学气相沉积----4.3 CVD技术的种类 二、低压CVD（LPCVD）－－钨 难熔金属（例如W、Ti、Mo、Ta）在硅集成电路的互联系统中已经被广泛地研究与应用。它们的电阻率比Al及其合金要大，但是比相应的难熔金属硅化物及氮化物的电阻率要低。 在这些金属当中，钨尽管不能单独作为栅材料和全部的互联材料，但却在互联中得到了广泛应用。 第四章 化学气相沉积----4.3 CVD技术的种类 二、低压CVD（LPCVD）－－钨 在IC互连系统中，钨的主要用途两个方面： 1. 作为填充塞（钨插塞，plug） 这是钨最重要的用途。 例如，可用钨填满两个铝层之间的通孔以及填满接触孔。之所以选用钨作为填充材料，是因为CVD的钨比PVD的铝有更好的通孔填充能力。当接触孔的尺度大于1?m时，用PVD的铝可以实现很好的填充，然而对于特征尺寸小于1?m时， 由于接触孔和通孔的深宽比变得太大，PVD的铝无法完全填充接触孔和通孔。所以CVD钨被广泛应用。 第四章 化学气相沉积----4.3 CVD技术的种类 Metal-2 stack (d) Metal-2 deposition Tungsten plug (a) Via etch through ILD-2 (SiO2) Metal-1 stack ILD-2 ILD