第5章双极型晶体管及其放大电路2013概论.ppt

四. CC–CB组合放大器 【例2】 放大电路如图所示。已知晶体管β=100, rbe1=3kΩ, rbe2=2kΩ, rbe3=1.5kΩ，试求放大器的输入电阻、输出电阻及源电压放大倍数。 　 解：电路为直接耦合的CC–CE–CC组合放大器。电路采用正、负电源使输入和输出端的直流电位为零。用VZ和VD1分别垫高V2，V3管的射极电位，而对交流可视为短路。 (1). 输入电阻Ri (2). 输出电阻Ro: (3). 源电压放大倍数 Aus 作 业 5-21, 5-23, 5-27, 5-28, 5-29 习 题 课 [例题3] 1.如何设置工作点，使共集放大器的动态范围UOPP最大？ 2.如何进一步提高共集放大器的输入电阻。 1. 已知UCC、RE 和 RL如何设置工作点ICQ，使共集放大器的动态范围UOPP最大？ 自举电路 2. 如何进一步提高共集放大器的输入电阻。 基极偏置电阻使Ri减小。 加自举电容C后，N点电位跟随输入Ui变化，使RB上的电流IRB大大减小，提高了偏置电路的等效输入电阻。 自举电路 由于在输入的正半周产生失真，对于PNP管应为截止失真。 6. 若输入信号增大，UO波形变为 ，则产生何种失真？如何消除？ 应将Q点上移，可减小RB1或增大RB2或减小RE。 输出电阻不变 Ro=RC ＝2k 　7. 若旁通电容CE开路，则Au、Ri和Ro何有变化？ 75k 25k 1k 2k 　 共射放大器 　 共集放大器 　共射和共集（组态）放大器性能小结 RE=0 5.5 场效应管放大器 5.5.1 场效应管偏置电路 IDQ UGSQ 耗尽型MOS 一.自偏压电路 （只适用于结型和耗尽型管） 二. 分压式偏置(或混合偏置)电路 （适用于各种类型的场效管） EMOS DMOS JFET 5.5.2 场效应管的低频小信号模型 简化 恒流区 该电路的性能指标分析如下： 5.5.3 场效应管放大器分析 与晶体管放大器类似，场效应管也有三种基本放大组态，即共源、共漏和共栅放大电路。 一、共源放大器 当源极接有电阻或源极电容开路时的情况 二、共漏放大器 共漏放大器电路及其等效电路分别如图所示。 输出电阻Ro Ugs=Uo 三、共栅放大器 共栅放大器电路及其等效电路分别如图所示。 5.6　放大器的级联 　 由于三种基本放大器的性能不同，所以在构成多级放大电路时，应充分利用它们的特点，合理组合，用尽可能少的级数，来满足放大倍数和输入、输出电阻的要求。 　 本节主要内容： 1. 简要说明多级放大器中级间的耦合方式； 2. 多级放大器性能指标的计算方法; 3. 实际中常用的几种组合放大器及其特点。 　　 多级放大器各级之间连接的方式称为耦合方式。 级间耦合时，一方面:确保各级放大器有合适的直流工作点，另一方面:应使前级输出信号尽可能不衰减地加到后级输入。 5.6.1　级间耦合方式 特点：各级直流工作点相互独立；不能放大缓变信号。 　 1. 阻容耦合 通过电容器将后级电路与前级相连接，其方框图如图示: ＋ － U i R i2 A 2 ＋ － U o C A 1 Ri2 C C Ri1 常用的耦合方式有以下三种: 2. 变压器耦合 变压器耦合框图如图所示 ＋ － U i R i2 A 1 A 2 ＋ － U o N 2 N 1 R′ i2 Ri2 特点：各级直流工作点相互独立；原副边交流可以不共地；且具有阻抗变换作用: 若原边与副边的匝数比 n=N1/N2，则原边看进去的等效负载为 Ri2′= n2Ri2 由于低频时变压器过于笨重，所以目前多用于高频电路。 ＋ － U i R i2 A 2 ＋ － U o A 1 Ri2 Ri1 3. 直接耦合 将前级输出直接或通过恒压器件接到下级输入的耦合方式。 特点：可以放大缓变信号；便于电路集成化。 直接耦合使各级直流工作点相互影响，互不独立，给设计与分析带来困难。 UCC -UEE 稳压管电 平移位 NPN、 PNP 管级联 垫高后级的发射极电位 估算直接耦合放大器的工作点时：由于IBQ极小可近似为零。因此可