金属的电阻率统计模型总结.pptVIP

§6.7 纯金属电阻率的统计模型 一 电阻的起因 1. 理想晶体无电阻 一个理想的晶体是无限大的，既没有杂质和缺陷也没有晶格振动。 当能带只是部分填充时，在外电场作用下，这些电子的状态以匀速变化 ，使电子在布里渊区的分布不再对称，从而产生电流。 当外电场除去后，由于 ，电子在布里渊区的非对称分布不再变化，从而维持原来的电流不变，也就是说，在外电场为零的情况下，电流仍不等于零。 可知，电导率应为无穷大，电阻率应为零。 由 2.电阻来源于杂质、声子等对电子的散射 电阻是由在能带理论所作的几步近似中被忽略的因素引起的。即绝热近似和周期场近似。 第一步绝热近似中，认为离子实在格点上固定不动，忽略了晶格振动，这样在导电问题上忽略了声子与布洛赫电子的作用； 第二步周期场近似中，认为晶格势能函数 处处符合晶格的严格周期性，忽略了晶体中的杂质和缺陷，这样在导电问题上忽略了布洛赫电子与这些杂质和缺陷的作用。 二 纯金属的电阻率 1.实验规律： 高温 低温 2.理论解释 对于纯金属，杂质和缺陷可以忽略不计，电阻率主要来 自晶格振动对电子的散射作用。