第05章光刻解析.pptVIP

顶面成像 被曝光的光刻胶 未曝光的光刻胶 UV (a) 正常曝光过程 (d) 最终被显影的图形 O2 等离子体显影 (b) 曝光后烘焙 交联 曝光 曝光的光刻胶 (c) 气相甲硅烷基化作用 Si Si HMDS 主要内容 基于衍射理论的光刻原理 投影式（远场衍射）：分辨率、焦深、MTF、不相干度S 接触/接近式（近场衍射）:最小尺寸 光刻胶：正胶/负胶 光刻胶的组成 i线/g线（PAC） DUV（PAG） 掩模版制作 光刻机工作模式： 接触式，接近式，投影式（扫描式，步进式，步进扫描式） 作业 课后习题1、2 、3 、4 、5 * 据估计，光刻成本在整个硅片加工成本中几乎占到三分之一。 套准精度：硅片上已有的图形与掩膜版上的图形对准精度 * 普通相机景深30cm 普通玻璃，石英玻璃上镀金属铬，要求，透光性好，热膨胀系数小。图形无缺陷 光刻胶对特定的波长有化学反应，对可见光、紫外光。光刻使用的典型的是紫外光。 深紫外光（DUV）指的是波长在300nm以下的光。 * 当VLSI电路需分辨率达2 mm之前，基本上是采用负性光刻胶。 负胶在显影时线条会变粗，使其分辨率不能达到很高。 但在分辨率要求不太高的情况，负胶也有其优点： 对衬底表面粘附性好 抗刻蚀能力强 曝光时间短，产量高 工艺宽容度较高 （显影液稀释度、温度等） 价格较低 （约正胶的三分之一） * 注意：g线和i线胶那样是靠光子一个一个曝光的， DUV胶不是。 DUV胶一旦反应开始，则会在催化作用下，使反应进行到底。所以DUV胶从未曝光状态到完全曝光状态的转变更为陡峭，即对比度更大。 一般， g线和i线胶的对比度在2～3，而DUV胶的对比度为5～10。 * * * Annular：环形的 附加材料造成光学路迳差异，达到反相，形成相消干涉。增加了成像的对比度 密集组成的线条与孤立线条光刻后，尺寸不同，尽管掩膜版上二者具有相同的线宽尺寸。 Reticle：刻线 保护膜距离铬图形大约5-10mm * Cps粘度单位 * 去除残余溶剂、显影时胶膜所吸收的显影液和残留水分，改善光刻胶的粘附性和抗蚀能力 显影检查：缺陷、玷污、关键尺寸、对准精度等，不合格则去胶返工。 Cd30nm 任何材料对超紫外光极易吸收，因此要在真空中进行 反射率有反射镜上的多层涂层优化 * 气相甲硅烷基化溶剂，高温下混合进入光刻胶，光刻胶已经曝光的部分与硅进行化学键合，键合深度100-200nm 在o2等离子体中，硅生产二氧化硅，起到保护作用。完成图像转移 未曝光的部分具有扩散抑制剂。 已经曝光的部分对硅的扩散非常敏感。 气相成底膜（过程及实现） 硅片清洗 脱水烘培 硅片成底膜 成底膜技术 浸润液分滴和旋转 喷雾分滴和旋转 气相成底膜和脱水烘培 硅片清洗 掉胶 由于表面沾污引起的粘附性差的效果 脱水烘培 硅片容易吸附潮气，光刻胶要求严格的干燥表面，所 以在成底膜前一定要经过烘培烘培温度： 200 °C ~250 °C 硅片成底膜 滴浸润形成 旋转硅片去除多余的液体 HMDS 滴浸润液和旋转 HMDS 热板脱水烘焙和气相成底膜 硅片 抽气 热板 腔盖 工艺小结: 在带有抽气的密闭内去湿烘焙 六甲基二硅胺脘 (HMDS) 清洗并干燥硅片表面 温度 200到 250?C 时间为 60秒. 2）旋转涂胶 工艺小结: 硅片置于真空吸盘上 滴约 5ml 的光刻胶 以约 500 rpm慢速旋转 加速到约 3000 至 5000 rpm 质量指标: 时间 速度 厚度 均匀性 颗粒和缺陷 真空吸盘 与转动电机连接的转杆 到真空泵 滴胶头 旋转涂布光刻胶的4个步骤 3) 甩掉余的胶 4) 溶剂挥发 1) 滴胶 2) 加速旋转 光刻胶的喷嘴 Z Y X q 光刻胶喷嘴 背面 EBR 真空 真空吸盘 旋转电机　 硅片 抽气 泄漏 光刻胶液流 不锈钢碗 气流 气流 喷嘴位置可四个方向调整 光刻胶旋转速度曲线 Used with permission from JSR Microelectronics, Inc. 80000 70000 60000 50000 40000 30000 20000 10000 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000 转速 (RPM) IX300的转速曲线 光刻胶厚度 (?) 21 cPs 110 cPs 70 cPs 3）软烘 目的 达到的效果 过程 On a Hot Plate 90 to 100°C For About 30 Seconds Followed by