第2章__无机介电材料与应用解析.ppt

第三章 瓷介电容器 第一节 电容器电容量计算 第二节 电容器等效电路及电容量的频率特性 第三节 电容器的电容量温度特性 第四节 电容量电容量电压特性 第五节 电容器的电感 第六节 电容器的绝缘电阻 第 五 节 瓷 介 电 容 器 一、电容器电容量计算 1.电容器电容量及其使用单位 使用单位：1）米公斤秒制（实用单位制）法拉F；微法；微微法； 2）厘米克秒制（静电单位制）厘米cm 第 五 节 瓷 介 电 容 器 2.电容器的标称电容量及其允许偏差 3.不同结构瓷介电容器的电容量计算 电容器芯子有三种结构：平板形；管形；卷绕形。 （1）平板形电容器芯子 园片形瓷介电容器芯子 第 五 节 瓷 介 电 容 器 （2）管形电容器芯子 （3）半球形电容器芯子 第 五 节 瓷 介 电 容 器 二、电容器等效电路及电容量的频率特性 1.电容器的结构及其等效电路 （1）电容器的芯子（Z1） （2）保护结构（Z2） （3）引出线或绝缘子引出端（Z3） R1 R2 C1 C2 r1 r2 L1 L2 r3 L3 电容器的等效电路图 第 五 节 瓷 介 电 容 器 Z1 C1——电容器芯子介质极化过程形成的电容量 R1——电容器芯子介质的并联电阻 r1——极板的电阻 L1——极板的电感 Z2 C2——保护层介质形成的电容 R2——保护层介质的并联电阻 r2——保护层内引出片的电阻 L2——保护层内引出片的电感 Z3 r3——引出线的电阻 L3——引出线的电感 第 五 节 瓷 介 电 容 器 r L R C 电容器的简化等效电路 C——主要介质和保护层介质各种极化产生的容量 R——主要介质和保护层介质极化引入的等效并联电阻与电容器表面漏导和介质贯穿漏导电阻之和 r——极板和引线电阻 L——极板和引线电感 第 二 节 高 介 电 容 器 瓷 三、常用高介电容器瓷料系统 4.生产工艺 （1）在氧化气氛下烧成； （2） 原料球磨时CaO可能水解生成水溶性Ca(OH)2，故球磨后应进行烘干，不能过滤除水否则会因Ca(OH)2流失而影响配比。 （3）钛酸钙瓷的结晶能力较强．为防上晶粒长大，烧结温度和保温时间均要控制好。 第 二 节 高 介 电 容 器 瓷 三、常用高介电容器瓷料系统 （二）钛酸锶陶瓷（calcium titanate ceramics） 1.配方 钛酸锶烧块（SrTiO3）：90.4％ 锆酸锶烧块（SrZrO3）：6.6％ 膨润土： 2.5％ 碳酸钡： 0.5％ 2.性能 是铁电材料，居里温度-250 ℃，常温下是顺电相，所以看作是非铁电电容器瓷。 ε（0.5～5MHZ）＝270～300 αε＝（一2200±400）×10-6/℃ tgδ （ 1MHz）＝（2～3）×10?4 E击穿＝（10～15）MV／m ρv＞1010Ω·m 第 二 节 高 介 电 容 器 瓷 三、常用高介电容器瓷料系统 3. SrTiO3的制备 为提高介电常数，常加入Bi2O3和TiO2。 SrTiO3－TiO2－ Bi2O3系统 原因：（1）发现在这种瓷体中生成了固溶体，由于Bi3+（RBi3+=1.2）取代了Sr2+（RSr2+＝1.13），造成了缺位，导致晶格结构松弛。 (2)畴壁弛张极化引起的 。 第 二 节 高 介 电 容 器 瓷 三、常用高介电容器瓷料系统 （三）其它温度补偿性陶瓷 TiO2/ZrO ε tgδ 20/80 21 +(30±30) 54/46 27 -(75±30) 70/30 47 -(470±90) 钛锆系瓷组成与介电性能的关系 第 二 节 高 介 电 容 器 瓷 三、常用高介电容器瓷料系统 Ca－Mg－La－Ti系瓷的组成及介电性能 第 二 节 高 介 电 容 器 瓷 三、常用高介电容器瓷料系统 CaTiSiO3－CaTiQ3系瓷的组成及介电性能 第 二 节 高 介 电 容 器 瓷 三、常用高介电容器瓷料系统 （四）钛酸镁瓷（magnesium titanate ceramics ） 高频热稳定电容器陶瓷 1.配方 菱镁矿（MgCO3）：71％ 生 TiO2 ：24 ％ 苏州土 ：3％ 淘洗膨润土 ：2％ 萤石（CaF2）：0.45％（外加） 第 二 节 高 介 电 容 器 瓷 三、常用高介电容器瓷料系统 2.性能 其特点是介电损耗低，αε的绝对值小，可以调节至零附近，且原料丰富，成本低廉。 3.晶相组成 正钛酸镁 (2MgO·TiO2）； 偏钛酸镁（MgO·TiO2）； 二钛酸镁（MgO·2TiO2）。 其中正钛酸镁（尖晶石结构）和二钛酸镁为稳定