半导体mis结构解析.ppt

表面态 表面处晶体的周期场中断； 表面往往易受到损伤、氧化和沾污，从而影响器件的稳定性； 表面往往要特殊保护措施，如钝化 表面是器件制备的基础，如MOSFET等 三、真实表面 1.清洁表面： 在超高真空(UHV) (～10-9Torr)环境中解理 晶体，可以在短时间内获得清洁表面，但与 理想表面不同：解理后的表面易形成再构 2.真实表面 自然氧化层（~ nm）－大部分悬挂键被饱 和，使表面态密度降低 表面态密度1010~1012cm-2（施主型、受主型） 表面电场效应 如图装置是MIS结构。 (Metal-Insulator-Semiconductor) 中间以绝缘层隔开的金属板和半导体衬底组成的，在金/半间加电压时即可产生表面电场。 结构简单，影响因素多。（功函数、带电粒子，界面态等） 空间电荷层及表面势 VG=0时，理想MIS结构的能带图 MIS的应用 MIS器件的功能主要决定于其中绝缘体层的厚度： （1）假若绝缘体层的厚度足够大（对于绝缘体层是SiO2层的情况，大于5nm），则基本上不导电，这时即为MIS电容器； （2）假若绝缘体层的厚度足够薄（对于绝缘体层是SiO2层的情况，大约为1nm），则绝缘体基本上不起阻挡导电的作用（阻抗极小），这时即为Schot