半导体材料论文解析.doc

深圳大学考试答题纸 (以论文、报告等形式考核专用)二○ ～二○ 学年度第 学期 课程编号 窗体顶端 窗体底端 它的最显著特征为所有的多型体均由相同的Si-C双层堆垛而 成如图2所示,结构之间的差别仅在于沿c轴方向的一维堆垛 顺序不同以及c轴的长短不同，这种现象称之为多型性。 在繁多的SiC多型体中,基本可分为两大类:α-SiC和β- SiC.β-SiC是唯一的一个具有立方结构的多型体,原胞为闪锌 矿结构,密排面为{111}面,密排方向为〈110〉方向;其它所有 结构类型统称为α-SiC,原胞通常采用六角点阵来描述,c轴可 为六次或三次对称轴,晶格常数为a= b= 0.3078nm, c= n×0. 251nm (其中n为单胞内的堆垛层数),密排面为{0001}面,密排方向为〈112-0〉方向.各种多型体间在一定条件下可以发生相变.α-SiC中的6H, 4H, 15R, 21R为最常见类型,尤以6H数量最多.α-SiC多型体是以上述常见多型体结构为基本结构形成的,其中绝大多数是以6H为基本结构形成的多型体,按照Pandey和Krishna〔3〕的错排基体生长模型,除少数例外,以6H为基本结构形成的多型体的堆垛方式可概括为(3, 3)nX (3, 3)mY,式中X、Y代表(3, 2)、(3, 、(3, 5)、(3, 6)、(2)、(4)或(5