半导体器件物理-MOSFET解析.pptVIP

* XIDIAN UNIVERSITY 4.0 MOS电容 功函数差:MOS接触前的能带图 金属的功函数 金属的费米能级 硅的电子亲和能 功函数：起始能量等于EF的电子，由材料内部逸出体外到真空所 需最小能量。 金属的功函数： 半导体的功函数 金半功函数差（电势表示） * XIDIAN UNIVERSITY 4.0 MOS电容 功函数差:MOS结构的能带图 条件：零栅压， 热平衡 接触之后能带图的变化： MOS成为统一系统， 0栅压下热平衡状态有统一的EF SiO2的能带倾斜 半导体一侧能带弯曲 原因：金属半导体Φms不为0 零栅压下氧化物二侧的电势差 零栅压下半导体的表面势 * XIDIAN UNIVERSITY 4.0 MOS电容 平带电压 氧化层中存在的正电荷 可动电荷：工艺引入的金属离子 陷阱电荷：辐照 界面态：SiSio2界面Si禁带中的能级 氧化层中SiSio2界面存在的正的固定电荷 氧化层内的所有正电荷总的面电荷密度 用QSS`等效， 位置上靠近氧化层和半导体界面 * XIDIAN UNIVERSITY 4.0 MOS电容 平带电压 QSS`对MOS系统的影响 正 Qss`在M和S表面感应出负电荷 S表面出现负电荷（耗尽的Na- 、电子），能带下弯，P衬表面 向耗尽、反型过渡 若? ms 0，因Q`ss 0，则VFB 0, 如果没有功函数