大化5-1原子结构的近代教材.ppt

第5章 物质结构基础 能级分裂与能级交错现象可以用屏蔽效应和钻穿效应进行解释。 （1）屏蔽效应 在多电子原子中，电子不仅受原子核吸引，还受到其余电子的排斥。电子间的排斥作用相当于抵消了一部分原子核的吸引作用。这种核电荷对某个电子的吸引力因为其他电子对该电子的排斥而被削弱的作用称为屏蔽效应。 若以z表示核电荷，被抵消后的核电荷为z* ——称为有效核电荷，则 z* z -σ σ为屏蔽常数，可理解为被抵消掉的那部分核电荷数。 外层电子对内层电子的屏蔽常数σ为零；同层电子间的σ 0.35 第一层的 ；第 n-1 层电子对第n层电子的σ 0.85；第 n-2 层及其以内各层电子对第n层电子的σ 1.00；d、f层以内各层电子对d、f层电子的σ 1.00。 例如钾原子 z 19 作用在外层4s1电子上的有效核电荷： 若钾原子的外层电子位于3d1亚层，则 由于 说明4s1电子受核的吸引力比3d1电子大，亦即4s轨道能量比3d轨道低。 （2）钻穿效应 钻穿效应可以理解为躲避屏蔽的效应，即外层电子可以钻到内层，从而躲避了内层电子对它的屏蔽，使有效核电荷增大、能量降低的效应。 这种外层电子穿过内层电子云，避开其他电子屏蔽的现象称为“钻穿效应”。 从径向分布图看出，各亚层电子的钻穿能力次序为 钻穿能力越强，能量越低。因而有下面的能级次序。 （2）外层电子分布式 由于原子在化学反应中一般