气相沉积技术研讨.ppt

真空与真空设备 物理气相沉积 2.1 真空蒸发镀膜原理及其基本过程 2.2 溅射镀膜 2.3 离子镀膜 2.4 离子镀膜 3. 化学气相沉积 3.1 化学气相沉积的一般原理 3.2 化学气相沉积技术 3.3 化学气相沉积技术的应用 气相沉积技术 Spear模型的步骤为： (1) 反应气体被强制导入系统。 (2) 反应气体由扩散和整体流 动(粘滞流动)穿过边界层。 (3) 气体在基体表面吸附。 (4) 吸附物之间的或者吸附物 与气态物质之间的化学反 应。 (5) 吸附物从基体解吸。 (6) 生成气体从边界层到整体 气体的扩散和整体流动 (粘滞流动)。 (7) 将气体从系统中强制排出。 CVD工艺的模型 Spear 提出的CVD反应模型 基体 1 7 4 5 整体气 边界层 界面 ? ? 2 ? ? ? 3 6 x ? CVD反应器系统 开管气流法 冷壁式反应器：只有基体本身才被加热(基体通电加热、感应加热或红外辐射加热等)，因此基体温度最高。 加热器 基体 热壁式开管卧式反应器示意图 热壁式反应器：器壁用直接加热法或其它方式来加热，反应器壁通常是装置中最热的部分(下图)。在管状回转窑中沉积热解碳薄膜电阻就是用热壁式反应器。 这种反应器按加热方式不同可分为热壁式和冷壁式。 特点：反应气体混合物连续补充，同时废弃的反应产物不断排出，即能连续地供气和排气。物料的运输一般是靠外加不参加反应的中性气体来实现的。 由于至少有一种反应产物可以连续地从反应区排出，这就使反应总是处于非平衡状态而有利于形成沉积层。 在绝大多数情况下，开管操作是在一个大气压或稍高于一个大气压下进行的，以使废气从系统中排出。但也可以在减压或真空下连续地或脉冲地抽出副产物。 这种系统有利于沉积层的均匀性，对于薄层沉积也是有益的。 优点：试样容易取出，同一装置可以反复多次使用，沉积工艺条件易于控制，结果容易再现。 若装置设计和加工适当，还可消除水和氧的污染。 开管气流法 闭管法 3 4 1 2 闭管式蒸气传输 反应器示意图 1.基体 2.料源 3. 低温加热区 4. 高温加热区 这种反应系统是把一定量的反应物与适当的基体分别放在反应器的两端，管内抽空后充入一定的输运气体，然后密封。再将反应器置于双温区炉内，使反应管内形成一个温度梯度。 由于这种系统的反应器壁要加热，所以通常为热壁式。 由于温度梯度造成的负自由能变化是传输反应的推动力，所以物料从闭管的一端传输到另一端并沉积下来。 CVD反应器系统 闭管反应器的优点是：内容物被空气或大气污染物(水蒸气等)偶然污染的机会很小；不必连续抽气就可以保持反应器内的真空，对于必须在真空条件下进行的沉积十分方便；可以沉积蒸气压高的材料。 缺点：材料生长速度慢，不适宜进行大批量生产；反应管(一般为高纯石英管)只能使用一次，这不但提高了成本，而且在反应管封拆过程中还可能引入杂质；在管内压力无法测定的情况下，一旦温度控制失灵，内部压力过大，就有爆炸的危险。因此，反应器材料的选择、装料时压力的计算，温度的选择和控制等，是闭管法的几个关键环节。 闭管法 化学气相沉积制备的材料 高纯金属 无机新晶体 单晶薄膜 纤维沉积物和晶须 多晶材料膜 非晶材料膜 典型例子是用碘化物热分解法制取高纯难熔金属。钨、钼、铌、金、铀和钍等金属都可用此法提纯。 新的晶体生长方法中，化学气相沉积法应用最多，发展最快。 用该法制备的晶体材料有ZnS、ZnSe、ZrS、ZrSe、YbAs和InPS4等 在一定的单晶材料衬度上制备外延单晶层是化学气相沉积技术的最重要的应用。 气相外延技术也广泛用于制备金属单晶膜(如钨、钼、铂、铱等)和其它一些元素间化合物，其中包括NiFe2O4、Y3Fe5O12、CoFe2O4等多元化合物单晶薄膜。 晶须的强度比块状材料高得多，可以用来增强塑料、陶瓷或金属的强度， CVD法已经成功地沉积了多种化合物晶须，包括Al2O3、TiN、Cr2C2、Si3N4、ZrC、TiC、ZrN等，用氯化物氢还原制备的金属晶须有Cu、Ag、Fe、Ni、CO、Co-Fe和Cu-Zn等。 半导体工业中用作绝缘介质隔离层的多晶硅沉积层，以及属于多晶陶瓷的超导材料Nb3Sn等，大都是用CVD法制备的。 几乎所有的无机多晶材料都可以使用CVD工艺。 非晶态的材料层有特殊的性能和用途，如磷硅玻璃、硼硅玻璃、氧化硅和氮化硅等。 这些材料的制备大都采用化学气相沉积法。 化学气相沉积的应用领域 复合材料制备 微电子学工艺 半导体光电技术 太阳能利用 光纤通信 超电导技术 保护涂层 CVD法制备的纤维状或晶须状的沉积物多半用来制造各种复合材料。 60