修论発表_佐藤究.pptVIP

中間発表まで Shubnikov-de Haas振動を用いたInGaP/GaAsヘテロ接合界面の物性評価 電気通信大学大学院　電気通信学研究科　電子工学専攻 マイクロエレクトロニクス講座　野崎?内田研究室 0932039　佐藤　究 指導教員　内田　和男　准教授 副指導教員　野崎　眞次　教授 平成22年度 電気通信大学電子工学専攻マイクロエレクトロニクス講座 博士前期課程修士論文発表 研究背景?目的 InGaPの特徴 ?DXセンターに代表される欠陥準位が少ない ?酸化されやすいAlを含まない ?表面再結合速度が小さいため高速動作デバイスの作製において有利 ?成長条件によりCu-Ptタイプの自然超格子構造を形成（オーダリング現象） InP GaP InP GaP InP GaP 結晶成長方向 自然超格子形成 オーダリングの度合いを決める条件 成長温度、Ⅴ/Ⅲ比、基板オフ角など (order)小←　　　→大(disorder) オーダリングによる影響 Eg, ΔEc, ΔEv など InGaP GaAs (order)小← 　　　→大(disorder) ΔEc ΔEv Eg1 Eg2 研究背景?目的 InGaPの特徴 ?DXセンターに代表される欠陥準位が少ない ?酸化されやすいAlを含まない ?表面再結合速度が小さいため高速動作デバイスの作製において有利 ?成長条件によりCu-Ptタイプの自然超格子構造を形成（オーダリング現象） オーダリングによる影響 Eg, ΔEc, ΔEv など InGaP GaAs (order)小←　　　→大(disorder) (order)小← 　　　→大(disorder) ΔEc ΔEv Eg1 Eg2 Zhang et al. Appl. Phys. Lett. 80, 3111 (2002) InGaP/GaAs ΔEc, ΔEvの様々な測定値 →ヘテロ接合界面物性 ： 未だに議論の余地がある 研究背景?目的 HBT（ヘテロ接合バイポーラトランジスタ） の性能?作製において有利 ?小さなΔEc, 大きなΔEv 　　→エミッタ注入効率大 ?選択エッチング 　　→加工プロセスの簡略化 InGaP/GaAsヘテロ接合の特徴 InGaP/GaAs AlGaAs/GaAs 研究背景?目的 HBT（ヘテロ接合バイポーラトランジスタ） の性能?作製において有利 order及びdisorder InGaP/GaAsヘテロ 接合界面に形成される二次元電子系 量子ホール効果測定により、オーダリング によるヘテロ接合界面への影響を調べる 2次元電子系の測定には不向き ?小さなΔEc, 大きなΔEv 　　→エミッタ注入効率大 ?選択エッチング 　　→加工プロセスの簡略化 InGaP/GaAsヘテロ接合の特徴 InGaP/GaAs AlGaAs/GaAs K. Kodama, M. Hoshino, K. Kitahara et. al. J. J. Appl. Phys. 25, 127 (1985) M. Razeghi, P. Maure, F. Omnes et. al. Appl. Phys. Lett. 48, 1267 (1986) K. Tone, T. Nakayama, H. Iechi et. al. J. J. Appl. Phys. 25, 429 (1986) disorderのみ InGaP/GaAsでの量子ホール効果測定 ??? 試料作製 結晶成長：MOCVD（有機金属化学気相成長）法 Ⅲ族原料：TMGa, TMIn Ⅴ族原料：AsH3, PH3 成長温度：600℃(disorder)、640℃(order) InGaP GaAs S.I. GaAs 2°off order?disorder InGaP/GaAs シングルヘテロ構造 ホール抵抗?磁気抵抗の測定 大 ← Eg → 小 InGaPのPL測定結果 η=0.32 η=0.41 2DEG 測定方法 Quantum Design社 PPMS (Physical Property Measurement System) 最低到達温度：1.8K / 印加磁場：0～±9T 測定試料及び試料台 量子ホール効果について ?ホール抵抗の量子化 ?高精度（精密な測定では誤差が10-9以下） ?物質によらない(Si-MOSFET, AlGaAs/GaAs等) Vy I →Rxy n ：ランダウ量子数(1,2,3,???) h ：プランク定数 e ：素電荷 n RH(kΩ) 　 n RH(kΩ) 1 25.813 　 4 6.453 2 12.907 　 5 5.163 3 8.604 　 6 4.302