考虑量子效应的MOS器件表面势模型的研究进展.docVIP

考虑量子效应的MOS器件表面势模型的研究进展 摘要：介绍了目前基于表面势的MOSFET集约模型研究的最新进展和考虑量子效应时对表面势进行修正的一般方法。这种方法从三角势阱近似出发考虑量子效应, 得到了一个新的表面势解析模型, 并与经典理论和数值模拟结果进行了比较。模型简单、准确, 且物理意义清晰, 适合于植入到基于表面势的集约模型中。 关键词：MOSFET；表面势；量子效应；集约模型 1 引言 集约模型(Compaet models) 被广泛应用于电路仿真工具中, 它们是CMOS工艺技术和集成电路功能实现之间的桥梁。随着CMOS器件尺寸的不断缩小, 集成电路的规模不断增加,日趋提高的电路复杂度使得电路设计者必须依赖于电路仿真工具来预测和优化电路的性能。各种电路仿真工具( 如SPICE)极大地依赖于器件模型的精确度, 同时模型又必须尽量简单以节省仿真时间, 这是MOSFET集约模型的两个矛盾的要求, 模型开发者需要运用各种不同的方法找到同时满足这两个要求的最佳折衷[1]。 MOSFET集约模型经历了几代的发展, 从最早的分段模型(MOS1和MOS2) 及经验模型(MOS3),发展到基于阈值电压(Vth) 的模型(BSIM3、4 系列和MM9), 最新开发的集约模型包括基于反型层电荷()的模型(又叫基于电荷的模型或电荷控制模型,如EKV、ACM 和BSIM 5), 以及基于表面势的模型(HiSIM和PSP等)。各种不同的建模途径反映了它们在速度和精度之间的权衡。 2 研究现状 基于阈值电压的模型实质上是一种分段(或区域化)模型 ,即器件在不同的工作区域内采用不同的近似, 导致每个工作区域内都有一套不同的公式。模型必须借助于数学手段将不同区域的公式平滑地连接起来, 由此引入了一些没有物理意义的纯拟合参数。随着CMOS工艺进入到深亚微米领域以后, 非均匀掺杂技术以及各种新的物理效应, 如量子效应、短沟道效应等, 对器件性能的影响越来越大。由于基于阈值电压模型复杂度的提高和参数的不断增多,使其逐渐难以满足深亚微米级电路仿真的需要；同时, 电源电压的不断降低使器件更多地工作在阈值电压附近的适度反型区内, 因此模型需要从物理上精确描述该区域, 而不能仅采用数学拟合的方法, 这在模拟和射频电路中尤为重要[2]。 基于反型层电荷的模型和基于表面势的模型是两种有希望取代基于阈值电压模型的新一代模型,两种模型都可以追溯到1966年的Pao-Sah方程Pao-Sah方程,其基本思想是把漏电流及沟道的电荷分布直接和沟道源、漏两端的反型层载流子面密度联系起来, 而沟道表面反型层电荷和偏置电压的关系可以通过已有的公式很容易得到[4]。在计算器件的I-V及C-V 特性的时候均以反型层电荷为自变量, 不需要知道表面势。基于电荷模型的主要缺点是在积累区以及在源/漏与栅的重叠区域内不适用, 限制了其灵活性[3]。 最初的Pao-Sah方程实际上就是基于表面势的,限制其应用的主要原因是需要求解一个表面势和偏置电压的隐式方程,速度比较慢。这个问题最近已经得到解决,目前已开发出解析模型(如PSP)或高效率的数值方法(如HiSIM)快速求解表面势。基于表面势模型的最大优点在于器件的I一V和C一V特性可以用一组统一的公式来描述,从亚阈值区到强反型区都是连续的, 不再依赖于区域化的方法。基于表面势模型以其更接近于器件物理本质、更加灵活的优点成为下一代集约模型的最佳选择。 本文主要介绍了一个基于三角势阱近似考虑量子效应的MOSFET表面势的解析表达式。 3 量子化的解析表面势模型 3.1 量子效应及其建模方法 表面势方程： （3.1） 式中，是玻尔兹曼常数，。运用数值迭代的方法或解析方法，分别求解源/漏两端的表面势。 随着器件尺寸的不断缩小, 极薄的栅氧化层厚度、以及不断提高的衬底掺杂浓度NA使得垂直于沟道方向的电场强度越来越大, 从而引起衬底能带在表面处弯曲程度增加, 由此形成了一个很窄的电势阱, 阱中的反型层电子被量子化。量子效应对器件的影响主要表现在两个方面: 一是沿垂直于沟道方向连续的能带被量子化, 分裂为一系列离散的子能带,最低的子能带并不与导带底重合, 而是略高出导带底一段距离,且这段距离会随表面电场的增加而增大,因此要达到强反型将需要施加更大的栅电压,这意味着阈值电压将会增加, 当器件进人强反型以后量子效应会更加显著;二是反型层电子的空间分布发生改变,其峰值不再位于硅/二氧化硅界面处,而是在离开表面1~2nm 处的硅体内,可认为电子浓度在硅体内分布的平均距离与经典理论相比变大了,这相当于增加了有效的栅氧化层厚度,因此栅电容将变小。也就是说,在同样的栅电压下,量子理论的反型层电荷密度比经典理论的值小。上述两个因素将极大地影响器件的I-V和C-V 特性[4]。