第2讲工艺剖析.ppt

Stick Diagram ? Dimensionless layout entities ? Only topology is important CMOS Inverter Two Inverters EE141 * * 每次光刻的步骤 氧化 光照掩模 涂光刻胶 光刻机曝光 光刻胶显影 酸刻蚀 清洗、干燥 工艺步骤 去除光刻胶 光刻机 光刻技术的主体是光刻机（曝光机、对准机），它是将掩膜版上的图形与前次工序中已刻在硅片上的图形对准后，再对硅片表面的光刻胶进行曝光实现图形复制的设备。 光刻机的三个主要性能指标: 分辨率：是可以曝光出来的最小特征尺寸。通常指能分辩的并能保持一定尺寸容差的最小特征尺寸。 对准和套刻精度：是描述光刻机加工图形重复性能的一个指标，是层间套刻精度的度量，主要取决于掩模版和硅片的支撑平台图形对准和移动控制精度性能。 产率：指每小时可加工的硅片数，是判断光刻系统性能的一个重要的指标，直接决定了集成电路芯片的制造成本。 第四节 CMOS集成电路制造过程简介 一、硅片制备 二、制造掩膜版 三、前部工序 四、后部封装 一、硅片制备 1、拉单晶 2、切割 3、掺杂 4、磨片 5、抛光 二、制造掩膜版 掩膜版在集成电路