（第19章电力电子技术.ppt

* 第19章 电力电子技术 19.1 晶闸管 19.2 可控整流电路 19.3 晶闸管的保护 19.4 单结晶体管触发电路 第19章 目录 晶闸管又称可控硅（SCR），是一种大功率的半导体器件。 分类：有普通型、双向型和可关断型。 它的出现，使半导体器件进入强电领域。 优点：体积小、重量轻、效率高、动作迅速、维护 简单、操作方便，寿命长等； 缺点：过载能力差，抗干扰能力差、控制比较复杂。 概述 用途: 整流、逆变、调压、开关 19.1 晶闸管 A G K J1 J2 J3 A K G P N P N 阳极 阴极 控制极 符号 19.1.1 晶闸管的结构和符号 结构 晶闸管是一种 大功率的半导 体器件。其内 部结构为： 四层半导体， 三个 PN结。 文字符号为 T T 第19章 19.1 19.1.2 晶闸管的工作原理 第19章 19.1 1、晶闸管的导通关断条件 导通条件： 晶闸管阳极与阴极间加正向电压、控制极电路加正向电压。二个条件必须同时具备。 关断条件： 将阳极电流减小到维持电流以下，或者在阳极与阴极间加反向电压。二个条件具备一个即可。 注意：晶闸管一但导通，控制极便失去作用。 P N P N K G A A (PNP) (NPN) K G T2 T1 A P N P N P N K G 第19章 19.1 为了说明晶闸管的导通原理, 将晶闸管等效为由T1 (NPN型) 和T2 (PNP型) 两个三极管联接而成 , 每个三极管的基极与另一个三极管的集电极相联。 2、晶闸管的导通原理 IG+IC2 流入T1的基极作再次放大,如此循环形成强正反馈 , 很快使T1和T2达到饱和导通。 当加入电源EA和EG后, 使晶闸管的阳极和控制极均加正向电压,因而T1正偏导通,IG= IB1, 而IC1=?1IB1即是 IB2, EG K G T2 T1 A R EA IG ?1IB1 ?1?2IB1 A (PNP) (NPN) K G T2 T1 第19章 19.1 此时, 若去掉触发电压, 晶闸管仍可依靠正反馈维持晶闸管导通, 控制极失去作用。 经PNP管T2 作进一步放大, 形成集电极电流 IC2 =?1?2IB1, IB1 19.1.3 晶闸管的伏安特性 C B A 0 IH I U 导通 IG=0 IG1 IG2 阻断 UBR IR IG增加 UBO 反向特性 正向特性 UBO — 正向转折电压 UBR — 反向转折电压 IG — 触发电流 IH — 维持电流 晶闸管的导通条件： ???阳极和阴极间加正向电压； ???控制极和阴极间加正向触 发电压。 两个条件必 须同时满足 第19章 19.1 规定：晶闸管阳极与阴极间加6V直流电压，能使元件导通的控制极最小电流（电压）称为触发电流（电压)。 P N P N K G A 0 I UT2T1 双向晶闸管的结构、符号和伏安特性 G T1 T2 结构 双向晶闸管可等效为 两个反向并联的晶闸 管,可实现双向导通。 伏安特性 T1 T2 G 符号 第19章 19.1 I T2 T1 ? ? _ _ G 19.1.4 主要参数 第19章 19.1 1、正向重复峰值电压 控制极断路，晶闸管正向阻断条件下，可以重复加在晶闸管两端的正向峰值电压。用符号UFRM表示。 UFRM 此电压为正向转折电压的80% 2、反向重复峰值电压 URRM 控制极断路，可以重复加在晶闸管两端的反向峰值电压。用符号URRM表示。 此电压为反向转折电压的80% 3、正向平均电流IF 第19章 19.1 在环境温度不大于40oC和标准散热及全导通的条件下，晶闸管可以连续通过的工频正弦半波电流（在一个周期内）的平均值，称为正向平均电流IF。 4、维持电流IH 在规定环境温度和控制极断路时，维持元件继续导通的最小电流称为维持电流。当小于这个电流时，晶闸管自动关断。 晶闸管的型号及含义 K P — 导通时平均电压组别（小于100A不标），共九级，用A-I字母表示0.2-1.2V。 额定电压，用其百分数或千位数表示，它即为UFRM和URRM中较小的一个。 晶闸管 普通型 额定正向平均电流 例如KP5-7表示额定正向平均电流为5A，额定电压为700V的晶闸管。 第19章 19.1 19.2 可控整流电路 第19章 19.2 19.2.1 单相半波可控整流电路 1、电阻性负载 正半周 —T导通 负半周 —T截止 RL T u2 u1 uG uO uG — 触发电压 uO — 输出电压 ? — 导通角 iO ?t ?t ?