衬底辅助耗尽效应.docVIP

横向超级结器件衬底辅助效应的研究与展望 LDMOS：横向双扩散金属氧化物半导体。在同一窗口进行两次杂质扩散形成沟道。 LDMOS是一种双扩散结构的功率器件。这项技术是在相同的源/漏区域注入两次，一次注入浓度较大（典型注入剂量 1015cm-2）的砷（As），另一次注入浓度较小（典型剂量1013cm-2）的硼（B）。注入之后再进行一个高温推进过程，由于硼扩散比砷快，所以在栅极边界下会沿着横向扩散更远（图中P阱），形成一个有浓度梯度的沟道，它的沟道长度由这两次横向扩散的距离之差决定。为了增加击穿电压，在有源区和漏区之间有一个漂移区。LDMOS中的漂移区是该类器件设计的关键，漂移区的杂质浓度比较低，因此，当LDMOS 接高压时，漂移区由于是高阻，能够承受更高的电压。图1所示LDMOS的多晶扩展到漂移区的场氧上面，充当场极板，会弱化漂移区的表面电场，有利于提高击穿电压。场极板的作用大小与场极板的长度密切相关。要使场极板能充分发挥作用，一要设计好SiO2层的厚度，二要设计好场极板的长度。 SJ结构是用重掺杂的N柱区和P柱区代替横向漂移区，在保持高击穿电压的同时大幅降低了比导通电阻。 衬底辅助耗尽效应：在该结构中，N柱和P衬不仅形成PN结相互耗尽，还要与P柱区相互耗尽。P型衬底与N柱形成的PN结产生纵向电场，这个纵向电场使P柱区杂质过剩，打破了N住区与P柱区的电荷平衡，大大降低了器件的击穿电压。 解决方案： 蓝宝石上的超结LDMOS 优势：可以使P柱区和N柱区相互耗尽，电场均匀，实现了完全的电隔离，减少了泄露电流。 缺点：蓝宝石成本高，与si的晶格常数不匹配。 背部刻蚀SOI SJ-LDMOS结构 优势：去除衬底产生纵向电场的部分，消除了衬底辅助耗尽效应。该结构制作在SOI晶片上，衬底通过RIE或各向异性刻蚀技术去除。 缺点：该器件比导通电阻比较大，双面刻蚀难度大，与集成电路工艺不兼容。 电荷补偿技术 通过加缓冲层达到电荷补偿的效果。 优势:P柱区不仅与N柱区耗尽，还要与缓冲层耗尽。缓冲层的耗尽降低了P柱区的电荷浓度，弥补了P柱区与N柱区耗尽时缺少的电荷。 缺点：缓冲层不能做的太厚，浓度不能太高。 SJR-LDMOS结构 衬底辅助效应在漏端更显著（原因），在漏区形成缓冲区域降低衬底辅助耗尽效应。 USJ-LDMOS结构 该结构主要特点是从源端到漏端N区宽度逐渐增加，N区的过剩电荷弥补了衬底辅助效应引起的电荷不足。 OB技术 用MOS结构代替SJ结构，就不会产生衬底辅助效应。工艺复杂。 PSOI OB-LDMOS结构 和OB技术相比开有硅散热窗口，提供导热路径，缓解自热效应，提高器件稳定性和可靠性。 增强埋氧层电场技术 在BOX表面注入正电荷，近似认为注入界面电荷，界面电荷增强了BOX的电场，从而提高了器件耐压。 TBOX SJ-LDMO结构 提出具有沟槽式的埋氧层 如果建立了横向功率器件三维耐压理论，将从根本上弄清衬底辅助耗尽的物理机制，意义重大，这也是未来的研究方向之一。