2015电磁场期末考试概论.docVIP

三、简答题 说明静电场中的电位函数，并写出其定义式。 答：静电场是无旋的矢量场，它可以用一个标量函数的梯度表示，此标量函数称为电位函数(3 分)。静电场中，电位函数的定义为 (3 分)107S/m量级，所以电磁波在良导体中衰减极快。 电磁波往往在微米量级的距离内就衰减得近于零了。因此高频电磁场只能存在于良导体表面的一个薄层内， 这种现象称为集肤效应(Skin Effect)。电磁波场强振幅衰减到表面处的1/e的深度，称为集肤深度(穿透深度)， 以δ表示。 集肤深度 3、说明真空中电场强度和库仑定律。 答：电场强度表示电场中某点的单位正试验电荷所受到的力，其定义式为： (3 分)。库仑定律是描述真空中两个静止点电荷之间相互作用的规律，其表达式为： (3 分)。 用数学式说明梯度无旋。 答： (2 分) (2 分) (2 分) 什么是高斯定理?高斯定理 分析：电场方向垂直于球面。 电场大小只与r有关。 在球外区域：ra 在球内区域：ra 由 因为得 6、试解释坡印亭矢量的物理意义？ 答：坡印亭矢量E×H相当于功率流的面密度,(3分)即垂直于功率流动方向单位面积上流过的电磁场功率.(3分) 、为什么说体电荷密度就是电荷的体密度，而体电流密度不是电流的体密度？ 什么是高斯定理?在电场具有什么特征时可以用它来求解静电场问题? .=q 当电场具有对称性质时，可以用来求解静电场。 波的圆极化(写出波的方程及与x轴夹角表达式) 若电场的水平分量Ex与垂直分量Ey振幅相等，相位相差±90°，合成电场为圆极化波。 E= =Em=常数 与x轴夹角tanα= =tanωt 在良导体内电场强度E等于零，磁感应强度是否也为零？为什么？ 可以不为零。（2分）因为E=0，只表明磁通及磁场的变化率为零，但磁感应强度可为任意常数。（3分） 、如何由电位求电场强度?试写出直角坐标系下的表达式。 答：即电场强度是电位梯度的负值。 表达式： 在静电场中，两点之间的电位差与积分路径有关吗？试举例说明。 无关。（2分）如图所示，取电场强度积分路径为 (1分) (1分) (1分)说明矢量场的环量和旋度。 矢量沿场中某一封闭的有向曲线l的曲线积分为环量，(3 分)。 矢量在M点的旋度：方向为M点的最大环量面密度最大的方向，其模等于此最大环量面密度的矢量：rot=(3 分) 、写出在恒定磁场中，不同介质交界面上的边界条件。 答：； (3 分) (3 分) 试解释坡印亭矢量的物理意义？ 坡印亭矢量E×H相当于功率流的面密度,(2分)即垂直于功率流动方向单位面积上流过的电磁场功率.(3分) 为什么说体电荷密度就是电荷的体密度，而体电流密度不是电流的体密度？ 体电荷密主是单位体积中的电荷量,所以是电荷的体密度.(2分)体电流密度是垂直于电荷运动方向上单位面积上流过的电流,所以不是电流的体密度。（4分） 四、计算题 1、已知空气填充的平板电容器内的电位分布为，求与其相应的电场及其电荷分布。 解：由 (2 分) 已知 得 (2 分) 根据高斯定理：得 (2 分) 电荷密度为： (2 分) (1 分) 真空中有两个点电荷，一个-q位于原点，另一个q/2位于(a,0,0)处，求 电位为零的等位面方程。 解： 两个点电荷－q,+q/2在空间产生的电位： (2 分) 令 得方程： (2 分) (1 分) 方程化简得 (2 分) 由此可见，零电位面是以点（4 a/3,0,0）为球心，2 a/3为半径的球面。(1 分) (1 分)6、相互成直角的两个导电平面构成的系统，在x=1,y=1处放置一个点电荷q，试用镜像法确定镜像电荷位置和大小，并求x=2,y=2处的电位。(设无穷远为电位参考点)镜像电荷位置为-q(-1,1),-q(1,-1),q(-1,-1) 由点电荷的电位=可得 x=2,y=2处电位=( 已知无源自由空间