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如何理解DDR SDRAM S5PC100的存储系统回顾 之前，在讲最小系统的时候，给大家介绍了的存储分配如图１所示。 图１　S5PC100的存储分配 我们从图上能够看的出，S5PC100支持的dram的存储空间为001GB的实地址空间，实际上我们根据系统的需要只用到了其中１部分空间，剩余的地址空间我们将它忽略掉了。在我们的电路板上连接的使用到的地址空间是00由硬件设计决定的)． S5pc100复位后PC指向0，因此会从0地址的存储器内自动的读取指令并执行。因此，S5pc100复位后从IROM中读取指令，并执行． bank的概念：理解bank是一个抽象的概念，很多工程师学习了很长时间的ARM都弄不清楚bank的概念。简单来理解，在ARM中是管理存储地址划分以及协调ARM核心与芯片外部存储器的桥梁。每个bank都有一个bank控制器，bank控制器可以设置或者选择与各种外部的存储器连接。 由于外部存储器的类型多种多样： 从速度上区分：有高速、低速； 从寻址上区分：有线性与非线性寻址； 从位宽上区别：有8bit 16bit 32 bit，访问的时序不同． BANK控制器可为处理器屏蔽掉处理的细节，为ARM处理器的核心提供一个统一的访问接口。每个bank控制器都有自己的控制接口，因此具有独立的地址空间。 支持小/大端方式 寻址空间：每bank 128MB(总共1GB) 每个bank支持可编程的8/16/32位数据总线带宽 bank0~bank6都采用固定的bank起始地址 bank7具有可编程的bank起始地址和大小 8个存储器bank 　 2.线性寻址与非线性寻址 在嵌入式系统设计过程中，由于主控芯片（如ARM、PPC、MIPS等）片上的存储空间不够大，经常需要外接存储器芯片（如ROM、SRAM、SDRAM、DDR2、Nand Flash等）。 图 那么，向用户提供全部地址线的存储器，我们认为它是可线性寻址的，我们常用的可线性寻址的存储器件有SRAM，nor flash。 优点：该类器件可通过地址总线1次确定主机需要访问的存储单元，速度快 缺点：器件内部的存储容量越大，则提供的地址线越多，资源需求就越多　 随着存储器容量的不断增大，出现了非线形的寻址器件，该类器件的典型代表是sdram存储器。Sdram的存储单元寻址是矩阵形式的，要想选定存储器内部的1个存储单元，先告诉存储器行地址，再告诉存储器列地址，从而使得存储器知道主机需要访问内部哪个存储单元。行列地址的信号可以采用地址总线复用的方式告知存储器。 优点：减少了器件的使用引脚数量； 缺点：地址需要经过多次传递，访问速度变慢。　 3.sdram的简单特性了解 SRAM---(Static Random Access Memory)静态随机存取存储器，加电情况下，不需要刷新，数据不会丢失，而且一般不是行列地址复用的。 DRAM---(Dynamic Random Access Memory)动态随机存取存储器，需要不断的刷新，才能保存数据。而且是行列地址复用的。 SDRAM---(Synchronous Dynamic random access)memory)同步动态随机存取记忆体，即数据的读写需要时钟来同步。 SDRAM之所以成为DRARM就是因为它要不断进行刷新（Refresh）才能保留住数据，因此它是DRAM最重要的操作。那么要隔多长时间重复一次刷新呢？目前公认的标准是，存储体中电容的数据有效保存期上限是64ms（毫秒，1/1000秒），也就是说每一行刷新的循环周期是64ms。这样刷新速度就是：行数量/64ms。我们在看内存规格时，经常会看到4096 Refresh Cycles/64ms或8192 Refresh Cycles/64ms的标识，这里的4096与8192就代表这个芯片中每个Bank的行数。刷新命令一次对一行有效，发送间隔也是随总行数而变化，4096行时为15.625μs（微秒，1/1000毫秒），8192行时就为7.8125μs。 SDRAM是多Bank结构，例如在一个具有两个Bank的SDRAM的模组中，其中一个Bank在进行预充电期间，另一个Bank却马上可以被读取，这样当进行一次读取后，又马上去读取已经预充电Bank的数据时，就无需等待而是可以直接读取了，这也就大大提高了存储器的访问速度。为了实现这个功能，SDRAM需要增加对多个Bank的管理，实现控制其中的Bank进行预充电。在一个具有2个以上Bank的SDRAM中，一般会多一根叫做BAn的引脚，用来实现