LED发光原理及光电参数资料.ppt

LED简介—发光原理及光电特性江苏新广联科技股份有限公司李睿LED基本信息LED是lightemittingdiodes的英文缩写，中文为发光二极管,顾名思义是一种以直接带隙材料构成的，p-n节为基础的固态半导体光电器件目前LED都是以双异质节结构为主,此外，高效LED结构中通常具有多量子阱结构进一步提高发光效率LED的应用范围室内照明室外景观照明交通显示及路灯照明车用照明室外大屏幕显示显示用背光源家电及消费电子产品的显示LED应用优势体积小LED芯片一般面积很小（小尺寸~300um×300um，大尺寸~1mm×1mm，可以灵活应用于各个领域高效节能LED发光效率已到达80-120lm/W，已经超过了节能灯，是白炽灯12lm/W的八倍，同等照明效果可节能85%。使用寿命长在恰当的电流和电压下，LED的使用寿命(光衰减到70%)可达10万小时响应时间短适合频繁开关及高频运作场合光线质量好光谱中没有紫外线和红外线，不会对人眼产生伤害，属于典型的绿色照明光源显色性好、颜色多样LED颜色多样，颜色纯正，且LED白光显色性很好，显色指数达到80，能更好地演绎被照物的真实本色环保LED是由无毒的材料作成，同时也可以回收再利用坚固耐用LED芯片被封装在环氧树脂里面，它比灯泡和荧光灯管都坚固，使得LED不易损坏LED分类LED发展史1962年,GE用气相外延(VPE)制成发出红光的的GaAsP半导体化合物1968年,LED的研发取得突破性进展,利用氮掺杂工艺，发光效率达到1lm/W,获得红光、橙光和黄光LED1971年，业界推出相同效率的GaP绿色LED80年代早期重大技术突破开发了AlGaAs红光LED，发光效率达到10lm/W1990年，美国HP和日本东芝成功研制InGaAlPLED1993年，日本日亚公司的中村修二以GaN基材料研制成功蓝色LED20世纪90年代后期，研制成蓝光激发YAG的白光LED2000年以后，LED器件进入照明功率器件阶段2008年12月，CREELED效率达到161lm/WLED节能灯发展像计算机一样，遵守摩尔定律，每18个月亮度翻一番GaNLED结构示意图LED制作简图EPIWaferDieMesa-CBL-TCL-PAD-PVScribing/Breaking-Testing-SortingGrowth-DopingLED工作原理简介发光二极管是在P-N结区注入少数载流子而辐射复合发光的一种半导体光电器件LED由直接带隙半导体材料构成发光颜色取决于电子与空穴复合释放出来的光子能量，主要由半导体材料的禁带宽度，量子效应，应力，压电极化效应等特性决定　LED有源区材料的禁带宽度Ｅg是其发光峰值波长λ最主要的决定因素即λ≈1240/Eg（mm）式中Eg的单位为电子伏特（eV）若能产生可见光（波长在380nm紫光～780nm红光），半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间LED电学特性LED是以p-n结为基础的。因此它具有一般p-n结的电学特性，即正向导通，反向截止，击穿特性在正向偏压小于某一阈值（开启电压）时，电流极小，不发光。当超过开启电压后，正向电流随正偏压增大而迅速增大，同时发光。在反向偏压小于某一阈值（反向击穿电压）是，电流极小，当超过击穿电压后，反向电流随反偏压增大而迅速增大，在反向偏压下，不发光I-V曲线p、n型半导体及空间电荷区对于p型半导体，空穴是多子（受主掺杂），而电子是少子（本征热激发）对于n型半导体，电子是多子（施主掺杂），而空穴是少子（本征热激发）在p型半导体中有大量带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质。空穴是可迁移的，而电离杂质（离子）是固定不动的。同理，n型半导体中有大量可迁移的负电子和固定的带正电荷的电离杂质。当p型和n型半导体接触时，由于存在浓度差，界面附近空穴从p型半导体向n型半导体扩散，电子从n型半导体向p型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合。结区界面附近的杂质离子形成空间电荷区，从而在节区建立内电场。无外加偏压节区两侧载流子浓度差多子的扩散 杂质离子形成空间电荷区空间电荷区形成内电场促使少子漂移阻止多子扩散动态平衡时：多子的扩散速率=少子的漂移速率，扩散电流=漂移电流施加正向偏压pn节加正向偏压：p区电势高于n区p区和n区多子都向界面区运动，使得空间电荷区变窄p区和n区多子向界面扩散过程中，所遇到阻挡势垒变小多子形成的扩散电流增加，而少子形成的漂移电流减少有电流从p区流向n区LED的辐射复合在正向偏压作用下，p区的空穴和n区的电子相对扩散运动，构成少数载流子的注入，从而在pn结附近发生导带电子和价带空穴的复合考虑到LED是由直接带隙材料构成，电子-空穴对会发生辐射复合和非辐射复合过程，辐射复合过程将释放出能量与材料禁带宽度相近的光子施加反向偏压pn节加反向偏压：n区电势高于