第七章外延重点讲述.ppt

7.6.2 层错法测量外延层厚度 7.6.3 图形漂移和畸变 原因：外延生长-腐蚀速率的各向异型； 漂移规律 ◆{111}面：严重；偏离2~5度，漂移显著减小，常用偏离3度。 ◆外延层越厚，偏移越大。 ◆温度越高，偏移越小。 ◆生长速率越小，偏移越小。 7.6.4 软误差 从封装材料中辐射出的α粒子进入衬底产生大量(约 106量级)电子-空穴对，在低掺杂MOS衬底中， 电子-空穴对可以扩散50μm， 易受电场作用进入有源区， 引起器件误动作，这就是软误差。 采用低阻衬底上外延高阻层的外延片， 则电子-空穴对先进入衬底低阻层， 其扩散长度仅1μm，易被复合， 它使软误差率减少到原来的1/10。 集成电路制造技术第七章 外延 西安电子科技大学 微电子学院 戴显英 2013年9月 本章主要内容 外延的基本概念与应用 硅气相外延的生长模型 影响外延生长速率的因素 外延层的掺杂分布 外延生长技术 外延层图形漂移 第七章 外延(Epitaxy) （外延）定义：在单晶衬底上，按衬底晶向生长一层新的 单晶薄膜的工艺技术。 外延层：衬底上新生长的单晶层。 外延片：生长了外延层的衬底。 应用 ①双极器件与电路： 轻掺杂的外延层--较高的击穿电压； 重掺杂的衬底降低集电区的串联电阻。 ②CMOS电路：