第四章_溅射镀膜重点分析.ppt

* Z方向的运动简单，可以不考虑。 对（1）式对t微分，代入（2）式得。 积分（3）式，可解出vx表达式，其中v0，δ为初始条件决定的常数： * 同样计算vy有： 由dx=vxdt，dy=vydt，计算x、y得到，其中x0，y0为待定常数： 从（5）（6）可知，带电粒子的运动是圆周与直线运动的和。 用-e代替q得到电子的圆周半径为： 即拉莫半径 * 电子的漂移速度（直线运动部分）： （7）中v0的大小虽然不能确定，但我们可以假定它和电子在固体内部的热运动速度大体相等，即 令ωe≡eB/m，ωe称为电子的回转频率。 * 因此，可以看出：二次电子的回转频率很高（109/s），回转半径很小（10-5m）。对于环形磁场区域，称作跑道。磁力线由跑道的外环指向内环，横贯跑道。靶面发出的二次电子，在电场、磁场的作用下，沿着跑道跨越磁力线做旋轮线型的跳动，并以这种形式沿着跑道转圈，增加与气体原子碰撞的几率。 * 所以磁控溅射可以克服二极、三极溅射的缺点，原因在于以下4点： （1）能量较低的二次电子只在靠近靶的封闭等离子体中循环运动，路程长，每个电子使气体原子电离的机会增加，而且只有电子的能量耗尽后，才能脱离靶表面，落在阳极上。这是基片温升低、损伤小的主要原因。 （2）高密度等离子体被电磁场束缚在靶面附近，不和基片接触。所以电离产生的正离子能十分有效地轰击靶面，基片也