03微电子工艺基础污染控制和芯片制造基本工艺概述概要.pptVIP

第3章 污染控制、芯片制造基  本工艺概述 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 二、洁净室的建设 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 二、洁净室的建设 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 二、洁净室的建设 * 3、工艺用水 （3）工艺用水的获得 ① 反渗透（RO）和离子交换系统 去除离子（盐分、矿物） 在制造区域的许多地方都监测工艺用水的电阻，在VLSI制造中，工艺水的目标与规格是18兆欧姆，但其他一些制造厂也使用15兆欧姆的工艺水。 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 二、洁净室的建设 * * 3、工艺用水 （3）工艺用水的获得 ② 固态杂质（颗粒）通过沙石过滤器、泥土过滤器与次微米级薄膜从水中去除。 ③ 细菌和真菌可由消毒器去除。这种消毒器使用紫外线杀菌，并通过水流中的过滤器滤除。 ④ 有机污染物（植物与排泄物）可通过碳类过滤器去除。 ⑤ 溶解的氧气与二氧化碳可用碳酸去除剂和真空消除毒剂去除。 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 二、洁净室的建设 * 3、工艺用水 （3）工艺用水的获得 在系统中存贮的水用氮气覆盖以防止二氧化碳溶于水中，水中的二氧化碳会干扰电阻值的测量引起错误读数。 第3章 污染控制、