超高速、微细加工技术总汇.ppt

另一种是将光束聚焦形成细小束斑，通过扫描在光致抗蚀剂涂层上绘制图形，称为扫描曝光。常用的光源有电子束、离子束等。 　(3) 显影与烘片：将曝光后的光致抗蚀剂浸在一定的溶剂中，将曝光图形显示出来，称为显影；显影后进行200～250℃的高温处理，以提高光致抗蚀剂的强度，称为烘片。 (4) 刻蚀：利用化学或物理方法，将没有光致抗蚀剂部分的氧化膜除去。常用的刻蚀方法有化学刻蚀、离子刻蚀、电解刻蚀等。 (5) 剥膜(去胶)：用剥膜液去除光致抗蚀剂。剥膜后需进行水洗和干燥处理。 二、 高能束刻蚀技术 　1. 电子束刻蚀 利用电子束的化学效应进行刻蚀。用功率密度相当低的电子束照射工件表面， 几乎不会引起表面温升，入射的电子与高分子材料的分子相碰撞时，会使其分子链断开或重新聚合，从而引起高分子材料的化学性质和分子量发生改变。利用这种效应，可以进行电子束曝光。曝光主要分两种：一种为电子束扫描型电子束曝光，即将聚焦在1μm以内的电子束在大约0.5～5 mm的范围内扫描，可以曝光出任意图形； 另一种为缩小投影型电子束曝光，即使电子束先通过掩膜板，再以1/5～1/10的比例缩小后投影到电子抗蚀剂上，进行大规模集成电路图形曝光。 电子束刻蚀是目前最好的高分辨率图形制作技术，在实验室条件下，最高能达到2 nm的特征尺寸，在生产中，一般也可达到0.5～1 μm的特征尺寸。 电子束加工要在真空条件