FPGA對DDR的控制研究.docVIP

基于FPGA的DDR内存条的控制研究与设计 发布: 2010-7-09 07:00 | 作者:? HYPERLINK /info/space-1545980.html \t _blank ——?| 来源: 电子工程世界 | 查看: 41次 TAG:? HYPERLINK /info/tagname-DDR%E5%86%85%E5%AD%98%E6%9D%A1 DDR内存条 1 内存条的工作原理 　　DDR内存条是由多颗粒的DDR SDKAM芯片互连组成，DDR SDRAM是双数据率同步动态随机存储器的缩写。DDR SDRAM采用双数据速率接口，也就是在时钟的正沿或负沿都需要对数据进行采样。在本设计中采用的内存是hynix公司的lGB的HYMD564M646CP6-J。内存条的工作原理与单颗粒内存芯片的工作原理一样，主要的控制信号以及控制信号完成的主要功能如表1所示。 　　以上的控制信号及地址信号都是由差分时钟信号中CK的正沿触发。DDR SDRAM必须按照一定的工作模式来完成初始化，完成初始化后才能进入到读写过程。DDR SDRAM的控制流程如图1所示。 　　初始化的过程为：(1)上电后，延时200us等待时钟稳定，然后将CKE拉高，执行一次NOP或者DESELECT操作。(2)执行一次precharge all操作。(3)设置扩展模式寄存器(BAl为低电平BA0为高电平)使能DLL。(4)设置模式寄存器(BAl，BA0均为低电平)复位DLL。(5)执行一次pre-charge all指令。(6)再经过2个自刷新(Auto refresh)指令后再次设置模式寄存器设置操作模式。(7)延时200个周期才能进行读操作。DDR SDRAM的扩展模式寄存器和模式寄存器的定义如图2和图3所示。 　　完成初始化后进入图1中的IDEL状态，此时可以进行读写操作。在进行写操作时，首先要进入Row active状态，此时选中要操作的bank与row。然后执行NOP操作等待tRCD的时间后可以进入写状态。 2 内存条电路设计 　　由于DDR SDRAM采用的时钟频率较高，加上DDRSDRAM的数据率为时钟速率的两倍，DDR SDRAM对时钟质量的要求很高，必须保证时钟上升沿的时间小于5％的时钟周期。DDR SDRAM的数据线与相对应的数据采样信号(DQS)的长度要尽量相等，来保证数据的采样窗口尽量要大一些。由于信号质量要求高，我们将所有的信号线都采用微电线和带状线来传输。使用FPGA和内存条的IBIS模型进行仿真来保证设计中信号的完整性，我们将信号分为3类，第一类，由FPGA到DDR SDRAM的时钟差分信号；第二类，由FPGA到DDR SDRAM的控制线；第三类，FPGA与DDR SDRAM之间的双向传输线。对三类IBIS模型的herperlinx仿真如图4： 　　通过仿真我们可以确定3类信号线中带状线和微带线板厚，铜厚，以及信号线的线宽，线长等参数。 3 FPGA对DDR SDRAM的控制 　　本设计中使用的FPGA是ALTERA公司的cyclone II系列的EP2C20F484C6。对内存条的工作模式设置为BL=4，CL=3，如图7为FPGA对DDR SD-RAM的控制模块框图。 　　其中，Clkin为外部输入的时钟信号，为了使FPGA到DDR SDRAM的两对时钟信号的质量尽量好，使用FPGA内部的两个锁相环输出差分时钟信号。为了保证锁相环输出的两路差分信号相位一致，在设计PCB时我们使晶振输出到FPGA两个PLL输入的布线距离相等，为了保证两个锁相环输出信号到达DDR SDRAM接口时相位一致，由FPGA锁相环输出到DDR SDRAM的接口布线长度相等。 　　控制模块采用的工作模式是按照图2所示的状态来跳转，上电以后首先是对DDR SDRAM进行初始化，初始化完成以后就可以进出等待工作的状态。此时刷新计数器开始计数，等待7．8 us后给出刷新请求，在空闲状态时(IDEL)刷新请求的优先级最高，响应刷新请求后执行REFR-ESH指令同时复位刷新计数器。初始化后如果FIF00的读空标志为O说明FIF00中有数据，此时可以进入到写状态。由于采用的是BL=4的工作状态，写操作每次都写入4个64位的数。所以，我们将输入的数据进行并位成256位的数，每次写操作只需要从FIF00中读出一个256位的数。假设我们采用1OOMHz的时钟，每写4个64位的数大概需要10个时钟周期。如果输入的数据位宽为16位，那么由外部传给FPGA的数据率要小于160 MHz。写操作完成的时候进入空闲状态，等待刷新标志或者读空标志。读的时候需要等待系统发出读命令(read)，然后进入读状态，读出的数据由Ddrout[127：O]送到FIF01和FIF02中。通过控制FIF