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金属硬掩膜打开工艺中的CD偏差负载控制 2013-11-6 　作者：D.J. Wang、M. D. Hu、J. Q. Zhou、C. L. Zhang、H. Y. Zhang，SMIC，Shanghai；X. P. Wang，SMIC，Beijing 　 核心提示：本文系统研究了密集线条和孤立线条间CD刻蚀偏差参数对金属硬掩膜刻蚀工艺的影响，涉及的范围有化学气体、源功率、压力、偏差功率以及ESC温度。而且，在基于Cl2和基于HBr的BARC打开步骤之间，还看到刻蚀化学气体对CD负载的有重大影响。此外，也发现M-HM的应力和刻蚀后剖面影响CD负载性能。成功地展示了改善钨触点和铜沟槽之间电气互连的解决方法。 由于集成电路（IC）的尺寸持续缩小，从版图到实际晶圆的精确图形转移越来越具挑战性。由于在不同的图形处（如密集线条和隔离（ISO）线条）固有的微观和宏观环境的差异，在反应离子刻蚀（RIE）工艺中，不同图形中CD刻蚀偏差负载是无法避免的。总的来说，负载效应本质上来源于等离子刻蚀特性的不同行为，例如，化学物质刻蚀、物理轰击刻蚀、以及具有不同CD、图形密度和深宽比的各种图形处的聚合物钝化。 本文系统地研究了在M-HM刻蚀工艺上CD刻蚀偏差负载行为，涉及的范围有刻蚀化学气体、源功率、偏差功率、压力、以及静电夹具（ESC）温度。特别是，利用了基于CH4固化光刻胶掩膜的负载效应。而且，也