结晶技术-PPT课件.pptVIP

结 晶 技 术 结晶(crystallization)是从液相或气相生成形状一定、分子（或原子、离子）有规则排列的晶体（crystal）的现象； 结晶是新相生成的过程，是利用溶质之间溶解度的差别进行分离纯化的一种扩散分离操作，与沉淀的生成原理一致。 结晶原理 溶解度（solubility)的概念； 过饱和溶液和介稳区(metastable zone) 成核 (nucleation) 结晶原理 溶质的溶解度(solubility)或饱和浓度(saturated concentration)的概念； 溶解度是温度的函数，溶质在特定溶剂中的溶解度常用温度—溶解度曲线表示，该曲线又称饱和曲线； 在物性不同的溶剂中溶质的温度—溶解度曲线是结晶操作设计的基础。 介稳区 第二趋溶解度曲线与溶解度曲线之间的区域称为介稳区或亚稳区(metastable zone)，第二超溶解度曲线以上的区域能够自发成核，称为不稳区(liable zone)； 介稳区又分两部分，即第一超溶解度曲线与溶解度曲线之间的第一介稳区和第二超溶解度曲线与第一超溶解度曲线之间的第二介稳区。 介稳区的宽度 介稳区的宽度数据对工业结晶操作的设计尤为重要，常用最大过饱和浓度或最大过饱和温度(过冷温度)表示，两者的关系为： 成 核 初级成核 (primary nucleation) 均相成核 (homogeneous nucleation) 非均相成核 (heterogeneous nucleation) 二次成核 (secondary nucleation) 初级成核 初级成核(primary nucleation)是过饱和溶液中的自发成核现象，发生在不稳区内，其机理是胚种及溶质分子相互碰撞的结果。 均相成核 (homogeneous nucleation) 非均相成核 (heterogeneous nucleation) 二次成核 如果向介稳态过饱和溶液中加入晶种，就会有新的晶核产生，这种成核现象称为二次成核。二次成核的机理一般认为是在有晶体存在的悬浮液中，附着在晶体上的微小晶体或会和分子受到流体流动的剪切作用，以及晶体之间的相互碰撞和晶体和器壁的相互碰撞而脱离晶体，形成新的晶核。 结晶的生长 生长速率： 结晶的生长是以浓度差为推动力的扩散传质和晶体表面反应的两步串连过程。 结晶的生长 2 ΔL定律 在同一溶液中，对于几何形状相似的晶体，其线性生长速率与晶体粒径无关，这就是ΔL定律。 结晶过程设计基础 晶体粒度分布(crystal size distribution,CSD) 粒数衡算方程 粒数衡算方程 假设结晶器中的晶浆处于全混状态，晶体粒度分布是连续的，忽略晶体的破碎和消失，则对于粒度为l ，粒数密度为n的晶体有： 输入速率－输出速率＝生长速率＋累积速率 1.连续稳态操作条件 连续稳态操作条件下式中右侧第一项为零,进料和出料流量相等(＝F)，V为常数。如果料液为无晶体存在的过饱和溶液，则nin＝0。设ΔL定律成立，则G为常数。此时得到： 结晶器 工业结晶设备主要分冷却式和蒸发式两种，后者又根据蒸发操作压力分常压蒸发式和真空蒸发式； 特定目标产物的结晶具体选用何种类型的结晶器主要根据目标产物的溶解度曲线而定。 冷却结晶器 结晶操作特性 结晶是在过饱和溶液中生成新相的过程，涉及固液相平衡，影响结晶操作和产品质量的因素很多； 目前的结晶过程理论还不能完全考虑各种因素的影响，定量描述结晶现象； 针对特定的目标产物及其存在的物系，需要通过充分的实验确定合适的结晶操作条件，在满足结晶产品质量要求的前提下，最大限度地提高结晶生产速度，降低过程成本。 过饱和度 根据结晶动力学理论，增大溶液过饱和度可提高成核速率和生长速率，单纯从结晶生产速度的角度考虑是有利的。 但过饱和度过大又会出现如下问题：①成核速率过快，产生大量微小晶体、结晶难以长大；②结晶生长速率过快，容易在晶体表面产生液泡，影响结晶质量；③结晶器壁容易产生晶垢，给结晶操作带来困难。 结晶操作的最大过饱和度，须保证在较高成核和生长速率的同时，不影响结晶的密度。 温度 结晶操作温度一般控制在较小的温度范围内； 冷却结晶时，因此,冷却操作温度的降低不宜过快、最好控制饱和温度与过饱和温度线之间； 蒸发结晶时，蒸发速度应与结晶生长速率相适应，保持溶液的过饱和度一定。工业结晶操作常采用真空绝热蒸发。 搅拌与混合 增大搅拌速度可提高成核和生长速率，但搅拌速度过快会造成晶体的剪切破碎，影响结晶产品质量。 为获得较好的混合状态，同时避免结晶的破碎，可采用气提式混合方式，或利用直径或叶片较大的搅拌桨，降低桨的转速。 溶剂与pH值 结晶操作采用的