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本章主要内容 9.1 概述 9.2 基本光刻工艺流程 9.3 光刻技术中的常见问题 正胶涂布显影工艺： 9.3光刻技术中的常见问题 半导体器件和集成电路的制造对光刻质量有如下要求: 一是刻蚀的图形完整，尺寸准确，边缘整齐陡直； 二是图形内没有针孔； 三是图形外没有残留的被腐蚀物质。 同时要求图形套刻准确，无污染等等。但在光刻过程中，常出现浮胶、毛刺、钻蚀、针孔和小岛等缺陷。 9.3.1 浮胶 浮胶就是在显影和腐蚀过程中，由于化学试剂不断侵入光刻胶膜与SiO2或其它薄膜间的界面，所引起的光刻胶图形胶膜皱起或剥落的现象。 9.3.1 浮胶 显影时产生浮胶的原因有： 涂胶前基片表面沾有油污，水汽，使胶膜与基片表面粘附不牢。 光刻胶配制有误或胶液陈旧，不纯，胶的光化学反应性能不好，与基片表面粘附能力差，或者胶膜过厚，收缩膨胀不均，引起粘附不良。 烘焙时间不足或过度。 曝光不足。 显影时间过长，使胶膜软化。 腐蚀时产生浮胶的原因： 坚膜时胶膜没有烘透，膜不坚固。 腐蚀液配方不当。例如，腐蚀SiO2的氟化氢缓冲腐蚀液中，氟化铵太少，化学活泼性太强。 腐蚀温度太低或太高。 9.3.2 毛刺和钻蚀 腐蚀时，如果腐蚀液渗透光刻胶膜的边缘，会使图形边缘受到腐蚀，从而破坏掩蔽扩散的氧化层或铝条的完整性。 若渗透腐蚀较轻，图形边缘出现针状的局部破坏，习惯上就称为毛刺； 若腐蚀严重，图形边缘出现