4H-SiC 功率MOSFETs栅介质材料研究.pptVIP

课题进展报告 课题进展报告 课题进展报告 课题进展报告 课题进展报告 4H-SiC 功率MOSFETs栅介质材料研究 * 主 要 内 容 * * 引言 介质材料及其性质 物理模型与计算方法 介质材料对4H-SiC MOS电容电学特性的影响机理 介质材料对4H-SiC MOSFET电学特性的影响 总结 引言 * * SiC 功率MOSFET具有功率密度大，能有效降低功率损耗，减小系统成本，在逆变、输电、大功率、高温领域具有广阔的应用前景； 在SiC上利用普通热氧化方法制备SiO2的工艺引入很高的界面态密度，易引起表面粗糙散射与界面陷阱效应，导致器件可靠性降低： SiC介电常数约为SiO2 的2.5倍，SiC体内发生雪崩击穿时，易导致SiO2提前击穿； SiO2 /SiC结构界面特性差，界面态密度高，导致SiC MOSFET沟道迁移率下降与阈值电压漂移； 实验表明通过改进氧化工艺如氮钝化可以改善界面特性，在NO/NO2中退火能提高迁移率至50cm2/Vs，但近导带底界面态密度增加，引起沟道迁移率降低；在POCl3中氧化退火能提高迁移率至89cm2/Vs，但由于P掺杂，氧化层陷阱电荷密度增加，阈值电压漂移现象明显； 各种高k介质材料用于替代SiO2以改善界面特性，如：Al2O3，HfO2，AlN，La2O3，Y2O3，Ta2O5，其中Al2O3和HfO2与4H-SiC由于较好的热稳定