国外集成电路命名方法案例.doc

国外集成电路命名方法 ?器件型号举例说明?( 缩写字符：AMD 译名：先进微器件公司（美）) AM 29L509 P C B AMD首标 器件编号 封装形式 温度范围 分类 ? L：低功耗； D：铜焊双列直插 C：商用温度， 没有标志的 ? S：肖特基； （多层陶瓷）； （0-70）℃或 为标准加工 ? LS：低功耗肖特基； L：无引线芯片载体： （0-75）℃； 产品，标有 ? 21：MOS存储器； P：塑料双列直插； M：军用温度， B的为已 ? 25：中规范（MSI）； E：扁平封装（陶瓷扁平）； （-55-125）℃； 老化产品。 ? 26：计算机接口； X：管芯； H：商用， ? ? 27：双极存储器或EPROM ； A：塑料球栅阵列； （0-110）℃； ? ? 28：MOS存储器理； B：塑料芯片载体 I：工业用， ? ? 29：双极微处理器； C、D：密封双列； （-40～85 ）℃； ? ? 54/74：同25； E：薄的小引线封装； N：工业用， ? ? 60、61、66：模拟，双极； G：陶瓷针栅陈列； （-25～85）℃； ? ? 79：电信； Z、Y、U、K、H：塑料 K：特殊军用， ? ? 80：MOS微处理器； 四面引线扁平； （-30～125）℃； ? ? 81、82：MOS和双极处