DDR系列基础知识讲解.ppt

名词解析 逻辑Bank SDRAM的内部是一个存储阵列，要想准确地找到所需的存储单元就先指定一个 （row）,再指定一个列（Column）,这就是内存芯片寻址的基本原理。 L-Bank存储阵列示意图 名词解析 芯片位宽 SDRAM内存芯片一次传输率的数据量就是芯片位宽，那么这个存储单元的容量就 是芯片的位宽（也是L-Bank的位宽）； 存储单元数量=行数*列数（得到一个L-Bank的存储单元数量）*L-Bank的数量 也可用M*W的方式表示芯片的容量，M是该芯片中存储单元的总数，单位是兆 （英文简写M，精确值是1048576），W代表每个存储单元的容量，也就是SDRAM芯片的位宽，单位是bit； DDR SDRAM内部存储单元容量是芯片位宽（芯片I/O口位宽）的一倍； DDR2 SDRAM内部存储单元容量是芯片位宽的四倍； DDR3 SDRAM内部存储单元容量是芯片位宽的八倍； DDR4 SDRAM内部存储单元容量是芯片位宽的八倍。 特性分析 存储原理 存储原理示意图：行选与列选信号将使存储电容与外界间的传输电路导通，从而 可进行放电（读取）与充电（写入）。另外，图中刷新放大器的设计并不固定， 目前这一功能被并入读出放大器（Sense Amplifier ,简称S-AMP）； 特性分析 DDR 延迟锁定回路（DLL）的任务是根据外部时钟动态修正内部