第7章_扩散与固态相变2015素材.ppt

晶体缺陷 1：晶界和表面处原子排列不紧密，不规则，能量较高，扩散激活能低，即QLQgbQs，故扩散系数关系为DsDgbDl。 晶界扩散与体扩散的相对贡献 原因：晶界处的晶格畸变较大，能量较高，所以其扩散激活能要比晶内的小，原子易于扩散迁移（测量结果是晶内的0.6～0.7)金属外表面的扩散激活能比晶界的还要小。 2、位错、空位等缺陷处比完整晶体内部扩散容易。 原因:位错线是晶格畸变的管道，互相联通，形成网络。位错密度增加，晶体中扩散速度加快。 例如：冷加工后金属中的扩散速度比退火金属中的大，位错的影响是一个因素。 下坡扩散：原子由浓度高处流向浓度低处； 上坡扩散：原子由浓度低处流向浓度高处。 驱动力：化学位梯度的存在。 化学力 ， 流量 由热力学可知 扩散驱动力 Si增加了碳的活度，从而增加了碳的化学位，使之从含硅的一边向不含硅的一边扩散。非碳化物形成元素Co.Ni.Al.Cu等也有类似效果 （1）菲克第一定律指出扩散由高浓度向低浓度方向进行，但很多情况下扩散却由低浓度向高浓度方向进行，说明浓度梯度并非扩散的驱动力。热力学研究表明，扩散的驱动力是化学位梯度，既扩散总是向化学位减少的方向进行。 （2）在化学位驱动下由低浓度向高浓度方向进行的扩散，称为上坡扩散。 第四节：几个特殊有关扩散的实际问题 1离子晶体的扩散 2烧结 3纳米晶体材