集成电路中的无源元件0初级.pptVIP

* * 在外延层上覆盖一层P型扩散层，就可做成更高阻值的电阻，即外延层沟道电阻，其结构与基区沟道电阻类似。 式中： RS为沟道区方块电阻；L为P 型扩散区长度；W为外延层宽度。 外延层沟道电阻 * * 5.离子注入电阻 与高温（热）扩散掺杂技术比较，离子注入工艺可以精确地控制掺杂浓度和注入的深度，且横向扩散小 ,阻值容易控制，精度较高。 硼离子注入电阻是在N 型外延层上注入硼离子形成电阻区，在电阻区的两端进行P型杂质扩散，以获得欧姆接触，作为电阻的引出端。 该电阻由两部分组成 离子注入区电阻 p+区端头电阻。 p+区端头的掺杂浓度较高，阻值很小，实际的电阻值主要由离子注入区电阻决定。 * * 硼离子注入电阻的特点： （1） 薄层电阻RS的可控范围大， 为0.1-20KΩ/□，所以可做的阻值范围较大。 （2）由于离子注入工艺横向扩散比较小，离子注入电阻的实际尺寸W,L可由注入掩膜窗口精确确定。 （3）电阻的温度系数TCR与退火条件及RS等有关，所以可以控制。 因此离子注入电阻的精度较高，常用来做大阻值的高精密电阻。 LD为源漏扩散时横向扩散量。 主要用来做存储器存储单元的负载电阻。 * * 3.1.3. MOS集成电路中常用的电阻 多晶硅电阻 Si SiO2 Leff L W poly