第三章半导体中载流子的统计分布解说.doc

第三章 半导体中载流子的统计分布 引言 1.热平衡状态：在一定的温度下，没有其他的外界作用，电子从价带跃迁到导带（本证激发），形成导带电子和价带空穴或者通过杂质电离的方式，电子从施主能级跃迁到导带产生导带电子；电子从价带激发到受主能级产生价带空穴，这一过程称为载流子的产生；与其相反的过程，即电子从高能量的量子态跃迁到低能量的量子态，并向晶格放出一定的能量，从而导带电子和价带空穴不断减少的过程称为载流子的复合。在一定的温度下，这两个相反的过程之间的动态平衡称为热平衡状态。这时，导带的电子浓度和价带空穴浓度保持一个稳定的数值，热平衡状态下的导电电子和空穴称为热平衡载流子。 2.热平衡状态载流子浓度的计算： 允许的量子态按能量如何分布； 电子在允许的量子态中如何分布； §3.1状态密度 一、概念 表示在能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子态数。 二、计算状态密度的步骤 首先算出单位k空间中的量子态数，即k空间中的量子态密度； 然后算出k空间中与能量E~(E+dE)间所对应的k空间体积，并和k空间中的量子态密度相乘，从而求得在该能量间隔的量子态数dZ； 最后，根据式(1)求得状态密度g(E). 三、k空间中量子态的分布 k空间就是以波矢k的三个互相正交的分量kx、ky、kz为坐标轴的直角坐标系所描写的空间。 kk只能取分立值，而不能取任意值，其允许值为： 其中，LV=L3是晶体体积 每个允许的能量状态在k空间中与由整数组(nx，ny，nz)决定的一个代表点(kx，ky，kz)相对应； 电子有多少个允许的能量状态，在k空间就有多少个代表点； 每一代表点的坐标，沿三个坐标轴方向均为2π/L的整数倍，所以代表点在k空间内是均匀分布的。 在k空间中，体积为8π3/V的小立方体中有一个电子。 在k空间中，电子的允许能量状态密度是V/8π3 如果计入自旋，k空间中每一个代表点包含自旋方向相反的两个量子态。所以在k空间中，电子的允许量子态密度是2V/8π3，每个量子态只能容纳一个电子。 四、球形等能面情况下的状态密度 1.导带底状态密度及其推导 为简单起见，先考虑能带极值在k=0、球形等能面的情况。假设导带底在k=0处，（3.1-2） 在k空间中，以|k|、|k+dk|为半径作两个球面，分别为能量E(k)和(E+dE)的等能面。 k空间的量子态密度： k空间的体积：4πk2dk 则在能量E ～ (E+dE)之间的量子态数为：（3.1-3） 由（2）式得到 对k两边取微分得到 代入（3）式得到（3.1-4） 所以导带底附近的状态密度：（3.1-5） 2.价带顶状态密度 （） 五、旋转椭球等能面情况下的状态密度 1.导带底状态密度 对于实际的Si、Ge半导体，在其导带底附近，等能面是旋转椭球面；导带底由s个(Si：6，Ge：4)状态；极值Ec不在k=0处。则E(k)与k的关系为： 利用前述方法可得：（3.1-6） 其中（3.1-7） 2. 价带顶状态密度 在实际SiGe中，价带中起作用的能带是极值相重合的两个能带，与这两个能带相对应的有轻空穴有效质量(mp)l和重空穴有效质量(mp)h，因此价带顶附近状态密度应为这两个能带的状态密度之和，称为价带顶空穴的状态密度有效质量(空穴态密度有效质量)。价带顶状态密度式子与球形等能面情况下的价带状态密度有相同的形式，（3.1-8） 其中（3.1-9） §3.2费米能级和载流子的统计分布 费米分布函数 1.定义 电子服从泡利不相容原理，能量为E的一个量子态被一个电子占据的概率为(3.2-1)（电子的费米分布函数)，描写热平衡状态下，电子在允许的量子态上如何分布的一个统计分布函数。其中k0为波尔兹曼常数。 2.费米能级EF 把半导体中大量电子的集体看成一个热力学系统，则费米能级是系统的化学势，即： （3.2-2）其中，μ：系统的化学势；F： 系统的自由能； N：电子总数；决定费米能级的条件是： 上式的意义是：当系统处于热平衡状态，也不对外界作功的情况下，系统中增加一个电子所引起系统自由能的变化，等于系统的化学势，也就是等于系统的费米能级。 处于热平衡状态的系统有统一的化学势，故处于热平衡状态的电子系统有统一的费米能级； 费米能级与温度、半导体材料的导电类型、杂质的含量以及能量零点的选取有关； 只要知道了费米能级的数值，在一定温度下，电子在各量子态上的统计分布就完全确定。 3. 费米分布函数的特性 T=0K时： 即热力学温度为0K时，能量小于EF的量子态被电子占据的概率为100%，故这些量子态上都是有电子的；反之，则被电子占据的概率为0，故这些量子态上都没有电子，是空的；热力学温度为0K时，费米能级可看成量子态是否被电子占据的一个界限