第一章《常规集成平面工艺》概要.ppt

第一章 常规集成平面工艺 §1-1-1 半导体材料的特征与属性 §1-2 半导体材料的冶炼及单晶制备 §1-3 半导体材料的提纯技术 §1-4 半导体单晶材料的制备 整个直拉硅单晶的过程包括：引晶（下种）、缩颈（细颈）、放肩、等颈生长和收尾等诸工艺阶段。 §1-5 单晶制备过程中的晶体缺陷 §1-6 常规集成电路制造技术基础§1-6-1 常规双极晶体管的工艺结构 §1-6-2 常规双极性晶体管平面工艺流程 * §1-1 半导体材料及半导体材料的特性 硅是自然界中蕴含最丰富的元素之一，约占地壳重量的25％。硅是电子工业中最重要的半导体材料，在自然界中以硅土和硅酸盐的形态出现，它是元素周期表中被研究得最多的元素之一。按重量计算，硅土约占地壳的25％，它的丰富程度仅次于氧。自然界中的固态物质，可分为晶体和非晶体两大类。晶体和非晶体在内部结构、物理性质和化学性质上都存在着明显的差别。 我们知道，若以电阻率（ρ）来度量自然界物质的导电能力，可划分为三类：一类是易于导电的物质，即导体，其电阻率范围在1×10-6Ω·CM至1×10-3 Ω·CM之间；一类是不易导电的物质，即绝缘体，其电阻率范围在1×108Ω·CM至1×1020Ω·CM之间；一类则是半导体，其电阻率范围在 1×10-3Ω·CM至1×108Ω·CM之间。半导体器件是以半导体材料为基本原材料，利用半导体材料的某