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目录： …………………介绍 ……………实验细节 …………结果与分析 …………………总结 介绍： 氧化锌，是一种重要的n型宽带隙（3.3eV）的半导体，能为新型的以自旋为主的多功能器件提供合并电子，光电子和磁性元件材料。 在氧化锌薄膜和纳米结构上发现了室温铁磁性，这是通过在它最纯相位上测试或通过掺杂完全非磁性元件得出来的，再如HFO2、CaO、SnO2等不同的氧化物上演示的理论计算表明阳离子空位可诱导磁矩。 基于Sundaresam、Bouzerar、Wang等人的报告，我们推论这种空位诱导室温磁性应该取决于膜厚度；此外，控制所述缺陷的形成和参数化对实验是必要的，因此我们在试验中固定膜厚度通过改变氧分压水平来沉积Na掺杂型在ZnO薄膜。 实验细节： 纯的Na掺杂型ZnO薄膜是用Al2O3底物通过PLD技术来沉积的。 高纯度的ZnO和乙酸钠（99.99%）粉末在托盘上适当比例混合，然后烧结到800℃，为6%Na掺杂型ZnO薄膜目标做准备。一组通过改变激光发射总数令Zn0.94Na0.06O膜厚度在69-216纳米之间浮动；另一组具有恒定厚度的Zn0.94Na0.06O膜，通过在10ˉ4至10ˉ2托范围内改变氧分压水平来制备。 所有的纯ZnO和Zn0.94Na0.06O薄膜的结晶相通过XRD确定，而磁性测量由超导量干涉器件进行光致发光，光谱测量使用具有氙灯源的绿光光度计实现Na掺杂薄