功函數差（Workfunctiondifference.pptVIP

SiO2-Si MOS 二極體 電特性最接近理想MOS二極體。 與理想二極體最大差異：a.金屬電極與半導體之功函數差q?ms不為零；b.氧化層中或介面處有電荷存在。 所以熱平衡時的半導體區之能帶圖有彎曲，不為平帶情形(flat-band condition )。 ?ms與使半導體恢復平帶狀況之電壓（平帶電壓flat-band voltage)為所關心之量。 功函數差（Work function difference ） 功函數差?ms（續） 將金屬區和半導體區的費米能階至真空能階之能量相比較： 功函數差?ms（續） 功函數差?ms（續） 平帶電壓（Flat-band voltage） 定義：使半導體區之能帶無彎曲所施加的閘極電壓。 加閘極電壓，跨於氧化層及半導體的表面電位會改變： 平帶電壓VFB（續） 當VG = VFB時，?s = 0，故可得： 氧化層所跨電位可以下分析得知： 故可得平帶電壓公式： 氧化層電荷： 氧化層電荷對CV圖的影響 其中平帶電壓狀態介於聚積狀態與空乏狀態之間： 由平帶電壓公式可知： 氧化層電荷對CV圖的影響（續） 由平帶電壓的分析可知，當氧化層電荷為正時，CV圖會往左平移，且電荷越多，平移量越多；當氧化層電荷為負時，CV圖會往右平移。 界面電荷對CV圖的影響 表面週期性終止，有懸鍵產生，在禁制能帶會形成界面態階。 電