第九章金属化工艺预览.ppt

* 第九章 金属化工艺 ——接触与互连 (1) 欧姆接触：具有线性和对称的V-I特性，且接触电阻很小； 一、基本概念 1、金属化 将晶片上制成的各种元器件用互连薄膜材料（通常为金属） 的线条连接起来构成具有各种功能的集成电路的工艺。 为了将半导体器件与外部有效地联系起来，必须首先在 半导体和互连线之间制作接触。 2、金属/半导体的两种接触类型： (2) 肖特基接触：相当于理想的二极管； 金属的功函数 ——φm 电子亲和势 —— Xs ■ 肖特基势垒高度： φB=φm－Xs ■ 耗尽层宽度 金属化工艺要求形成低阻欧姆接触 二.形成欧姆接触的方法 ■ 低势垒欧姆接触 ■ 高复合欧姆接触 ■ 高掺杂欧姆接触 1、低势垒欧姆接触 ■ 如果金属的功函数φm小于n型半导体的功函数φs ， 或 金属的功函数φm大于p型半导体的功函数φs 。 —— 欧姆接触。 ■ 由于界面处存在表面态，使半导体表面产生一个耗尽 层，仍然有整流特性。 ■ 只要势垒高度低于0.3eV以下，可近似看作欧姆接触。 （铂与p型硅, 0.2eV） 说明 2、高复合欧姆接触 ■ 预先对半导体表面进行研磨或喷沙处理， 产生大量缺陷；或者掺入高复合中心杂 质，形成高复合欧姆接触。 3、高掺杂欧姆接触 ■ 在半导体表面形成高掺杂层，金—半接触时，可形 成极薄的耗尽区，载流子浓度大于1019 /cm3时，耗尽 区宽度小于10nm。除热电子发射外，载流子能隧道穿 透方式通过势垒，形成低阻且对称的VI特性。 ND —— 衬底掺杂浓度 测量接触电阻用样品图形 4、欧姆接触的检测 金—半：R，扩散方块：Rs, A、B：R1， B、C：R2 如 时，则接触电阻为 三、集成电路对互连金属的基本要求 ■ 有良好的导电性； ■ 容易与N型、P型硅形成低阻欧姆接触； ■ 与硅和二氧化硅等有良好的粘附性； ■ 易于淀积和刻蚀，便于键合； ■ 性能稳定可靠； ■ 互连线对台阶的覆盖率要好。 常用的金属化材料 1、Al 是目前集成电路工艺中 最常用的金属互连材料。 电阻率较低；工艺简单； 易形成低阻欧姆接触。 1）优点： 2) 铝互连线存在的问题 A、铝的电迁移 当直流电流流过金属薄膜时，导电电子与金属离子将发 生动量交换，使金属离子沿电子流的方向迁移。 ■ 后果： 在阳极端堆积形成金属小丘或晶须，造成电极间短路； 在阴极端形成空洞，导致电极开路。 电流密度大于105A/cm3,温度高于150°C时,Al的电迁移现象比较严重 ■ 解决方法： 采用Al-Cu或Al-Si-Cu（硅1.2～2％，铜2～4％）合金。 铜原子在多晶状Al的晶粒边界处分凝，阻止Al原子沿晶 粒边界的运动。 优化版图设计，降低电流密度。 B、应力引起的空洞效应 C、铝对硅和二氧化硅的作用 硅在Al中有较大的固溶度和较快的扩散速率. 温度升高时，接触孔中铝硅互溶，铝向硅的深部运动，最 后穿通附近的结而造成短路。特别是浅结器件中。 铝在高温下能与SiO2发生如下反应： 会使铝穿透下面的二氧化硅绝缘层，导致电极间短路。 解决方法 ■ 采用Al－Si合金（硅1.2～2％)。 ■ 为了制作极浅结（小于0.2微米）的欧姆接触，通常采用 接触层－阻挡层－导电层的多层金属化系统。 ? 阻挡层要求： ? 在典型的热处理温度下，Al和硅在阻挡层金属中的扩散 速率必须很小，阻挡层金属的导电性好，而且与硅和互 联金属之间的粘附性好。 ? 阻挡层金属早期使用TiW,现在使用得更广泛的是难熔金属 氮化物，如TiN，TaN和WN等。 ? 接触层要求： 性质稳定，电阻率低，如PtSi、TiSi2。 D、引线爬台阶问题 ■ 在氧化层台阶的侧壁，特别在接触窗口周围的台阶侧壁， 蒸发淀积的Al膜往往很薄，在电路工作时很容易造成互连 线的断裂失效。 ■ 解决办法： 引入回流工艺，加厚Al层等。 3) 合金化处理 ■ 需在400～450°C的N2-H2气 氛中进行热处理，在接触 孔处使Al互连线和Si形成 低阻欧姆接触。 ■ 合金化的关键是合金温度 和合金时间的控制。 对于浅结器件，合金温 度应低一些，恒温时间 可长一些。 2、重掺杂多晶硅 用重掺杂多晶硅代替金属Al作为MOS器件的栅极材料 并形成互连，可与Al金属层一起形成一种双层布线结构。 电阻率较高，只用于局部互连。 3、难熔金属硅化物 Ti, Mo, W, Ta等及其硅化物。采用“难熔金属硅化物/ 多晶硅”复合栅和互连结构，直接在多晶硅上淀积难熔金 属，加热形成硅化物。工艺与现有硅栅工艺相容，已被广 泛应用于VLSI中。 *