第6讲内部存储器汇总.ppt

了解内存的存储原理 掌握内存的类型 理解内存的主要技术指标 学会识别内存 内存的选购与安装 内存的主要技术指标（难点、重点） 内存的识别（难点） 内存的选购与安装（重点） 内存一般指的是随机存取存储器，简称RAM。是电脑中使用的临时存储区，它能暂时存储程序运行时需要使用的数据或信息等。泛指内存条，作用如下: SDRAM、DDR SDRAM、RDRAM内存条 芯片品牌 芯片品质 注意PCB 常见的劣质内存 * * 第6讲 内部存储器 回顾旧知 导入课题 预习与检测 教学展示 以提出问题的方试来解决学生对上一节课中遇到的问题，进行讨论与分析。 创设情境，导入课题 ，选择我们身边的、感兴趣的事物，提出问题，充分调动学习积极性。 学生以小组为单位，根据预习提纲解读教材内容，以问题的形式引入预习，提炼总结知识点。教师进行检测、收集及评分。 带着学生进行讨论与分析的结果，然后进行引出下文，对新课内容重点解析。 教学过程设计 回顾旧知与引入课题 衡量CPU主要性能指标的是哪三个参数 2 第一块微处理器的名称及诞生时间是哪年？ 1 什么是CPU的地址总线宽度 3 举例说明Intel与AMD低、中、高端CPU型号 4 详细说明安装CPU及散热风扇的过程 5 分组讨论 预习检测 2 详细说明存储器的分类有哪些 1 内存的性能指标中tAC和CAS各是什么意思 3 常见的内存品牌有哪些？如何选购内存 4 如何辨别常见的劣质内存 5 主流内存为哪种类型？DDR1、2与3的区别 学习目标 重点与难点 内存概述 存储器的分类 MEMORY RAM：随机存储器 ROM：只读存储器 EPROM：可擦可编程只读存储器 内存的分类 RAM（随机存储器） SRAM（静态内存）：结构复杂，造价高，速度快 DRAM（动态内存）：集成度高，结构简单，成本低 VRAM（显存） CMOS RAM 存储数据原理 动态内存的“动态”指：我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个内存刷新（Memory Refresh）操作，额外设计一个电路。 一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。但时间一长,代表1的电容会放电，代表0的电容会吸收电荷，这就是数据丢失的原因； 刷新操作定期对电容进行检查，若电量大于满电量的1/2，则认为其代表1，并把电容充满电；若电量小于1/2，则认为其代表0,并把电容放电，籍此来保持数据的连续性。有了刷新操作，动态内存的存取速度比静态内存要慢很多。 内存的分类 按引脚数不同可分为: 72线、168线和184线内存 168-Pin、184-Pin ( Pin指的是内存条的引脚，又称 “线”，又称为“金手指” ) 按内存模块封装形式可分为: 30线/72线 单面内存模块 SIMM单列直插式 168线 双面内存模块 DIMM双列直插式 184线双面内存模块 DDR SDRAM 184线Rambus内存模块 DRAM的类型 EDO RAM (扩展数据输出内存）数据宽度32位 30线/72线 SDRAM(同步数据传输随机存储器）64位 168线 DDR SDRAM（双数据传输SDRAM）64位 184线 主流 DDR200：运行频率为100MHz，带宽为1.6GB/S DDR266：运行频率为133MHz，带宽为2.1GB/S DDR333：运行频率为166MHz，带宽为2.7GB/S DDR400：运行频率为200MHz，带宽为3.2GB/S 除此以外还有DDR2 533、DDR2 667、DDR2 800、DDR3-1066、1333、1600、1800、1866、2000、2133、2200、2400等 RDRAM （Rambus DRAM) 16位 184线 RAMBUS内存是一种高性能、芯片对芯片接口技术的新一代存储产品，创立于1990年，致力于高端存储产品的研究与开发，于2003年左右彻底退出市场。 DDR1、DDR2与DDR3的区别 DDR1：184针 DDR2：240针 DDR3：240针 DDR1：2.5V DDR2：1.8V DDR3：1.5V 引脚数 工作电压 OCZ 2GB DDR3-1333内存 “OCZ”为内存品牌名称，“3”表示DDR3接口，“1333”则表示频率为DDR3-1333，“V”表示普通版，“2G”表示容量为2GB 内存双通道一般要求按主板上内存插槽的颜色成对使用 ，两条1GB的内存构成双通道效果会比一条2GB的内存效果好 。 内存的