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* * * * * * * * * 其伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样。 * * * * * 二极管模型 举例 半导体二极管图片 半导体二极管图片 半导体二极管图片 半导体二极管图片 1.3.1 结构类型和符号 　　二极管 = PN结 + 引线 + 管壳。 类型：点接触型、面接触型和平面型 (1) 点接触型— (a)点接触型 一、结构类型 (c)平面型 (3) 平面型— (2) 面接触型— (b)面接触型 二、符号 旧符号 新符号 阳极(Anode) 阴极(Cathode) 标记 D1 D2 Diode 1.3.2 伏安特性 IS :反向饱和电流 VT =kT/q :温度的电压当量 室温（T=300 K）下， UT=26 mV 一、理想二极管方程 理想二极管伏安特性曲线 ？定性 ——单向导电性 非线性 器件！ 实际D与理想D两点区别： 二、实际二极管伏安特性 1)正向(V0)存在死区电压 硅：VD(on)=0.5 V 锗：VD(on)=0.1 V 阈限　　 2)反向(V0)存在击穿电压 VBR(Breakdown) 雪崩击穿Avalanche 齐纳击穿Zener （均可逆) 理想 实际 1.3.3 主要参数 (1) （静态）直流电阻RD (2) （动态）交流电阻rd ?