模拟电子技术基o础(康华光)课件3.pptVIP

3.5.4 光电子器件 3. 激光二极管 （a）物理结构 （b）符号 {end} * 动画先播放开头，然后停住分析可能将要发生的变化，再播放动画。 3.2.4 PN结的反向击穿 当PN结的反向电压增加到一定数值时，反向电流突然快速增加，此现象称为PN结的反向击穿。 热击穿——不可逆 雪崩击穿 齐纳击穿 电击穿——可逆 PN结被击穿后，PN结上的压降高，电流大，功率大。当PN结上的功耗使PN结发热，并超过它的耗散功率时，PN结将发生热击穿。这时PN结的电流和温度之间出现恶性循环，最终将导致PN结烧毁。 3.2.5 PN结的电容效应 (1) 扩散电容CD 扩散电容示意图 是由多数载流子在扩散过程中积累而引起的。 正向电压时，载流子积累电荷量发生变化，相当于电容器充电和放电的过程 —— 扩散电容效应。 当加反向电压时，扩散运动被削弱，扩散电容的作用可忽略。 3.2.5 PN结的电容效应 (2) 势垒电容CB end 是由 PN 结的空间电荷区变化形成的。 空间电荷区的正负离子数目发生变化，如同电容的放电和充电过程。 势垒电容的大小可用下式表示： 　　由于 PN 结 宽度 l 随外加电压 U 而变化，因此势垒电容 Cb不是一个常数。 ? ：半导体材料的介电比系数； S ：结面积； l ：耗尽层宽度。 3.2.5 PN结的电容效应 　　PN 结总