(第六章)刻蚀.ppt

6.1 引 言 刻蚀的概念: 用化学或物理的方法有选择地去除硅片表面层材料的工艺过程称为刻蚀。 刻蚀示意图： 6.1 引 言 刻蚀的工艺目的: 把光刻胶图形精确地转移到硅片上，最后达到复制掩膜版图形的目的。它是在硅片上复制图形的最后主要图形转移工艺。 刻蚀工艺分类：干法刻蚀和湿法刻蚀 干法刻蚀：把要刻蚀的硅片放在具有反应气体的等离子体真空腔中去除表面层材料的工艺过程。亚微米 湿法刻蚀：把要腐蚀的硅片放在化学腐蚀液里去除表面层材料的工艺过程。大于3微米 按被刻蚀的材料分：金属刻蚀、介质刻蚀、硅刻蚀 有图形刻蚀和无图形刻蚀 6.2 刻蚀参数 为了复制硅片表面材料上的掩膜图形，刻蚀必须满足一些特殊的要求，包括以下几个刻蚀参数。 1. 刻蚀速率 刻蚀速率是指刻蚀过程中去除硅片表面材料的速度。 刻蚀速率＝ΔT / t （?/min) 其中，ΔT=去掉的材料厚度（ ? 或 μm） t=刻蚀所用时间（min） 2. 刻蚀剖面 刻蚀剖面是指被刻蚀图形的侧壁形状 两种基本的刻蚀剖面: 各向同性和各向异性刻蚀剖面 3. 刻蚀偏差 刻蚀偏差是指刻蚀以后线宽或关键尺寸的变化 刻蚀偏差＝Wa－Wb 4. 选择比 选择比：指在同一