半导体制造中清洗技术的新动向_许宝兴.docxVIP

电子工业专用设备!#$%’() *+, !-’.),+($. /,+0#.)1 23(#*3.)#,$(4趋势与展望半导体制造中清洗技术的新动向许宝兴（中国电子科技集团公司第二研究所，山西 太原!!!#$）摘 要：多年来习惯采用多槽浸渍式 ’() 清洗的半导体清洗领域里，正在兴起的是从多槽浸渍式 向单片式处理转移。并出现了取代 ’() 法的新型清洗液与新的生产方法。正在开始对超临界流体清洗等下一代清洗技术的开发。概述这些半导体清洗技术的最新动向。关键词：半导体制造； 清洗技术； 晶圆中图分类号：869#:0;文献标识码：+文章编号：1$1#;!#=;$$%56’ /,’1’() 5,’(0 +* 7-’3($(4 5’.6(+-+48 $( 9’$.+(0#.)+, 23(#*3.)#,$(4? @AB$C72D（ 8EF !2G *FHFAIJE /2HK7K5KF BL (M8(N 8A7O5A2 9!1N (E72A ）:;1),3.),5PK7$KA2Q 733FIH7B2 JPFA272D EAH RFF2 5HFG 72 HF37JB2G5JKBI JPFA272D LBI 3A2O OFAIH: 6BSH72DPF SALFI TIBJFHH S7PP HTI72D 5T: 6FS JPFA272D P7U57G A2G TIBG5JK7B2 3FKEBG EAH JB3F 5TN A2G 72 TPAJFBL *(+:8EF 2FCK JPFA272D KFJE2BPBDO BL H5TFI JI7K7JAP LP57G JPFA272D 7H 52GFI GFVFPBT3F2K: 8E7H AIK7JPFH533I7WFH KEF 2FS KIF2GH BL HF37 JB2G5JKBI JPFA272D:=’8+,01 .F37JB2G5JKBI 3A25LAJK5I72DX (PFA272D KFJE2BPBDOX YALFI半导体产业随着 ! 世纪帷幕的徐徐拉开而出配线多层化的进步，制造工艺也趋于复杂化。为此，现了新的变化， 半导体市场需求牵引的动力已从在半导体制造现场，颗 粒和金属杂质，表 面吸附化’( 转向了数字家电。作为半导体技术的驱动器，也学物质等微小的沾污物质，对半导体产品的合格率从 )*+, 转变为与网络对应的系统 -./。和可靠性的影响越来越大（ 见表 ）。以往也极力避在针对网络的大容量化和高速化而进行的激免使用易沾污的新型材料，但为了器件的微细化和烈竞争中，要求系统 -./ 拥有更高的性能和功能以高功能化而不得不使用元素周期表中的所有元素及低能耗。为此，半导体器件的微细化方向主要针（ 例如长年使用却令人厌恶的 (5 和 67）。现在工对系统 -./，以 0$%#$1# 23 为技术节点，正加速朝艺和器件本身就是重大的沾污源。着越来越微细化方向发展。因此，为了去除硅晶圆表里两面的上述沾污物随着电路图形的微细化、高密度化4高集成化及的清洗工程，正成为左右半导体成品率和可靠性的收稿日期：!#$%$#作者简介：许宝兴，高级工程师，情报室主任，近年来从事半导体制造技术信息的搜集工作。!#$ %%总第 !# 期） # 趋势与展望电子工业专用设备!#$%’() *+, !-’.),+($. /,+0#.)1 23(#*3.)#,$(4表 ! 晶圆表面沾污的种类及对半导体器件特性的影响题。另外，今后在湿式清洗与干燥时，仍然担心药液和纯水的表面张力会破坏微硅晶圆表面沾污的种类对主要的器件、工艺的影响细结构。所以，最后介绍能解决这些问题颗粒沾污图形缺陷离子注入不良绝缘膜耐压不良的下一代新的清洗技术。碱性金属（ 456）#$ 晶体管特性不稳定栅极氧化膜耐压劣化! 从多槽浸渍间歇式清洗到单片金% 结逆方向漏电流增大旋转式清洗属栅极氧化膜耐压劣化污少数载流子寿命缩短染重金属（ 785,5’95:9等）!!单片式处理的优点氧化激励层产生缺陷其它金属（ :/5’4 等）绝缘膜耐压不良半导体器件制造商多年来一直使用栅极氧化膜耐压不良多槽浸渍式清洗，俗 称 ?:’ 清洗（ 见图有机沾污’() 膜厚产生偏差热!）。具体方法是：为了去除晶圆表面的氧化膜产生偏差（ 加速氧化）颗粒、金属杂质、有机物等沾污，使 用升在硅基板上扩透镜表面等产生化温到 @ABCD E的氢氧化氨过氧化氢去#$ 晶体管的 (*+ 变化学无$, 基板和高阻值 -./01$, 片电阻变化离子水（ FGAFFAF#， 以下称 $’1污机!），盐酸过氧化氢去离子水（ F’/FA染污盐基（ 胺和氨等）胺使化学增幅型保护膜清晰度劣化染氨和氧使形成的盐产生微粒F#，以 下称 $’1），以 及在室温的稀氟氧（ $.; 等）接触电阻增加酸（ F7）中，把 DBDA