10-氧化.ppt

动画看课件 此处参照教材P107 ①②③④⑤⑥⑦⑧⑧ 此处参照教材P107 ①②③④⑤⑥⑦⑧⑧ （2）杂质再分布 ② 扩散速率 A：杂质在二氧化硅和硅中扩散速率不同，热氧化时，将引起SiO2/Si界面杂质再分布。扩散系数D是描述杂质扩散快慢的一个参数。 B：如果有：DSi DSiO2，nSi nSiO2硅（即K1）则杂质在Si中耗竭更严重。 三、氧化膜检验方法 1、SiO2/Si界面特性（*） （2）杂质再分布 ② 扩散速率 杂质在SiO2/Si界面分布 SiO2/ Si SiO2/ Si K1 B在SiO2中扩散慢 B在SiO2中扩散快（H2环境） 三、氧化膜检验方法 1、SiO2/Si界面特性（*） （2）杂质再分布 ② 扩散速率 杂质在SiO2/Si界面分布 SiO2/ Si SiO2/ Si K1 P, As在SiO2中扩散慢 Ga在SiO2中扩散快 三、氧化膜检验方法 1、SiO2/Si界面特性（*） （2）杂质再分布 ③ 界面移动 热氧化时SiO2/Si界面向Si内部移动，界面移动的速率对SiO2/Si界面杂质再分布也有影响，移动速率决定于氧化速度。 水汽氧化速率远大于干氧氧化速率，水汽氧化SiO2/Si界面杂质的再分布就远小于干氧氧化； 湿氧