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2016-12-01 发布于浙江
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如何测量MOS电容的伏容特性曲线

CopyrightByCuibingOfHuaqiaoUniversity我们以 tsmc18rf 库里的 mos_var_b 为例1、属性如下2、接法如下1CopyrightByCuibingOfHuaqiaoUniversity3、电容值是不能直接测量的，为了测量电容值我们可以将电容值转换成电流。对于一个电容 C, 两端电压为 V，流过电容的电流为 I，那么 I =jwCV=sCV,===》 C=I/(jwV)=== |C|=I/(|V|*w) 假设|V|=1, w=1,===》f=w/(2*pi)=1/(2*pi)=0.5/pi=0.165 |C|=I即电容值=流过电容的电流值。 4、下面对电容进行 ac 分析即可2CopyrightByCuibingOfHuaqiaoUniversity5、设置好后选择输出电流即可，如下6、运行结果如下3CopyrightByCuibingOfHuaqiaoUniversity7、问题，该 MOS 电容为积累型 MOS 电容，其 V-C 特性为什么如上呢？解：上述电容为积累型 MOS 电容，剖面图如下上图是按照下图接成的4CopyrightByCuibingOfHuaqiaoUniversity伏安特性分析：当 VG0 时电势向下，所以电子向上运动产生积累；当-Vth VG0 时耗尽；当 VG-Vth 时理论上，电势会向上，使电子向下运动，空穴向上运动当空穴数量大于电子数量后形成反型，但由于我们些 MOS 电容为 P-sub|N-well 型，当形成反型层后由于源漏端全部为 N+掺杂，导致源到漏之间等效成两个背靠背的二极管，因而无法导电。5