LED製程初步介紹.docVIP

LED製程 發光二極體是一種特殊的二極體。和普通的二極體一樣，發光二極體由半導體晶片組成，這些半導體材料會預先通過注入或摻雜等工藝以產生pn結結構。與其它二極體一樣，發光二極體中電流可以輕易地從p極（陽極）流向n極（負極），而相反方向則不能。兩種不同的載流子：電洞和電子在不同的電極電壓作用下從電極流向pn結。當電洞和電子相遇而產生複合，電子會跌落到較低的能階，同時以光子的方式釋放出能量。 它所發出的光的波長，及其顏色，是由組成pn結的半導體物料的禁帶能量所決定。由於矽和鍺是間接禁帶材料，在這些材料中電子與電洞的複合是非輻射躍遷，此類躍遷沒有釋出光子，所以矽和鍺二極體不能發光。發光二極體所用的材料都是直接禁帶型的，這些禁帶能量對應著近紅外線、可見光、或近紫外線波段的光能量。 材料 藍光與白光LED 以下是發光二極體的無機半導體原料及發光顏色： 單色 多原色/闊頻段 紫 白 顏色 λ波長（nm） 正向偏壓（V） 半導體 物質符號 正向偏壓（V） 構成 正向偏壓（V） 構成 紅外線 760 1.9 砷化鎵鋁砷化鎵 GaAsAlGaAs 2.48-3.7 紅LED + 藍LED藍LED + 紅磷白LED + 藍色濾光器 2.9 - 3.5 藍LED + 黃磷紫外線LED + 黃磷紅LED + 綠LED + 藍LED 紅 760至610 1.63-2.03 鋁砷化鎵砷化鎵磷化物磷化銦鎵鋁磷化鎵（摻雜氧化鋅） AlGaAsGaAsPAlGaInPGaP:ZnO 橙 610至590 2.03-2.10 砷化鎵磷化物磷化銦鎵鋁磷化鎵(摻雜?) GaAsPAlGaInPGaP:? 黃 590至570 2.10-2.18 砷化鎵磷化物磷化銦鎵鋁磷化鎵（摻雜氮） GaAsPAlGaInPGaP:N 綠 570至500 2.18-4 銦氮化鎵/氮化鎵磷化鎵磷化銦鎵鋁鋁磷化鎵 InGaN/GaNGaPAlGaInPAlGaP 藍 500至450 2.48-3.7 硒化鋅銦氮化鎵碳化矽矽（研發中） ZnSeInGaNSiCSi（研發中） 紫 450至380 2.76-4 銦氮化鎵 InGaN 紫外線 380 3.1-4.4 碳（鑽石）氮化鋁鋁鎵氮化物氮化鋁鎵銦 C(diamond)AlNAlGaNAlGaInN LED製程初步介紹 在LED工廠生產中主要步驟是：清洗－裝架－壓焊－封裝－銲接－切膜－裝配－測試－包裝。其中封裝工藝尤為重要，目前LED的製程情形。 一、晶片檢驗 鏡檢：材料表面是否有機械損傷及細微的坑洞。 二、擴片 由於LED晶片在劃片後依然排列緊密間距很小（約0.1mm），不利於後工序的操作。我們採用擴片機對黏結晶片的膜進行擴張，是LED晶片的間距拉伸到約0.6mm。也可以採用手工擴張，但很容易造成晶片掉落浪費等不良問題。 三、點膠在LED支架的相應位置點上銀膠或絕緣膠。（對於GaAs、SiC導電襯底，具有背面電極的紅光、黃光、黃綠晶片，採用銀膠。對於藍寶石絕緣襯底的藍光、綠光LED晶片，採用絕緣膠來固定晶片。）製程難點在於點膠量的控制，在膠體高度、點膠位置均有詳細的製程要求。 四、備膠 和點膠相反，備膠是用備膠機先把銀膠塗在LED背面電極上，然後把背部帶銀膠的LED安裝在LED支架上。備膠的效率遠高於點膠，但不是所有產品均適用備膠製程。 五、手工刺片 將擴張後LED晶片（備膠或未備膠）安置在刺片台的夾具上，LED支架放在夾具底下，在顯微鏡下用針將LED晶片一個一個刺到相應的位置上。手工刺片和自動裝架相比有一個好處，便於隨時更換不同的晶片，適用於需要安裝多種晶片的產品。 六、自動裝架 自動裝架其實是結合了沾膠（點膠）和安裝晶片兩大步驟，先在LED支架上點上銀膠（絕緣膠），然後用真空吸嘴將LED晶片吸起移動位置，再安置在相應的支架位置上。自動裝架在工藝上主要要熟悉設備操作編程，同時對設備的沾膠及安裝精度進行調整。在吸嘴的選用上儘量選用膠木吸嘴，因為鋼嘴會劃傷晶片表面的電流擴散層。 七、燒結 燒結的目的是使銀膠固化，燒結要求對溫度進行監控，防止批次性不良。 銀膠燒結的溫度一般控制在150，燒結時間2小時。根據實際情況可以調整到170，1小時。絕緣膠一般150，1小時。銀膠燒結烘箱的必須按工藝要求隔2小時（或1小時）打開更換燒結的產品，中間不得隨意打開。燒結烘箱不得再其他用途，防止污染。 八、壓焊壓焊的目的將電極引到LED晶片上，完成產品內外引線的連接工作。LED的壓焊工藝有金絲球焊和鋁絲壓焊兩種。壓焊是LED封裝技術中的關