光电检测技术概览.pptVIP

光电检测技术 检测与测量 光电传感器： 基于光电效应，将光信号转换为电信号的一种光电器件 将非电量转换为与之有确定对应关系的电量输出。 光电检测技术：是利用光电传感器实现各类检测。它将被测量转换成光通量,再将光通量转换成电量，并综合利用信息传送技术和处理技术，完成在线和自动测量 光电检测系统 光学变换 光电变换 电路处理 光电检测系统的组成 包括光信息获取、光电变换技术和光信息测量技术以及信息的光电处理技术。 光学变换与光电转换是光电测量的核心部分 光电器件的类型与特点 光电效应：光照射到物体表面上使物体的电学特性发生变化． 光电子发射：物体受光照后向外发射电子——多发生于金属和金属氧化物． 光电导效应：半导体受光照后，内部产生光生载流子，使半导体中载流子数显著增加而电阻减少． 光生伏特效应：光照在半导体PN结或金属—半导体接触上时，会在PN结或金属—半导体接触的两侧产生光生电动势。 光电检测器件的类型 光电检测器件是利用物质的光电效应把光信号转换成电信号的器件. 光电检测器件分为两大类: 光子(光电子)检测器件 热电检测器件 光电器件分类及特点 4.1 光电器件的性能参数 响应特性 噪声特性 量子效率 一、响应特性 １．响应度（或称灵敏度）：是光电探测器输出电信号与输入光信号之间关系的度量。描述的是光电探测器件的光电转换效率。 响应度是随入射光波长变化而变化的 响应度分电压响应率和电流响应率 ４．响应时间：响应时间τ是描述光电探测器对入射光响应快慢的一个参数（如图）。 脉冲响应特性 上升时间tr：入射光照射到光电探测器后，光电探测器输出上升到稳定值所需要的时间。10%~90% 下降时间tf ：入射光遮断后，光电探测器输出下降到稳定值所需要的时间。 90%~10% ６、噪声等效功率(NEP) 定义：光电器件输出的信号电压有效值等与噪声方均根电压值时的入射光功率 这时，投射到探测器上的辐射功率所产生的输出电压（或电流）等于探测器本身的噪声电压（或电流） 一般一个良好的探测器件的NEP约为10-11W。 NEP越小，噪声越小，器件的性能越好。 第二节 光电发射器件 光电发射效应：物体吸收了光能后转换为该物体中某些电子的能量，从而产生的电效应。光电传感器的工作原理基于光电效应。分为外光电效应和内光电效应。 一、光电效应及元件 用光照射某一物体，可以看作物体受到一连串具有能量（每个光子能量的大小等于普朗克常数h乘以光的频率γ，即E=hγ）的光子的轰击，组成这物体的材料吸收光子能量而发生相应电效应的物理现象称为光电效应。 分类： 外光电效应 光导效应 光生伏特效应 （一）外光电效应 外光电效应：在光线的作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应。 元件：紫外光电管、光电倍增管、光电摄像管等。 E=hγ=mυ2/2 +A 1．光电子能否产生，取决于光子的能量是否大于该物体的表面逸出功。每种物体都有相对应的光频阈值，称为红限频率，用γ0表示。 γ0=A/h  若入射光的频率小于红限频率，光子的能量不足以使物体内的电子逸出，因此小于红限频率的入射光，光再强也不会产生光电效应。反之，若入射光的频率高于红限频率，即使光强微弱，也会使照射的物体有光电子发射出来。 E=hγ=mυ2/2 +A 2．当入射光的频谱成分不变时，产生的光电流与光强度成正比。光愈强，意味着入射的光子数目越多，逸出的光电子数也就越多。 3．光电子逸出物体表面时的初动能决定于入射光的频率。对于一定的物质，电子逸出功A是一定的，所以光子的能量hγ越大，则电子的初动能越大。 光电倍增管(PMT) 光电倍增管是利用外光电效应制成的一种光电探测器件。其光电转换分为光电发射和电子倍增两个过程。 ——把微弱的光输入转化为光电子，并使光电子获得倍增的一种光电探测器件。 光电倍增管使用注意要点 不宜用强光，容易引起疲劳 额定电压和电流内工作 入射光斑尺寸和管子的有效阴极面尺寸向对应 电场屏蔽和磁屏蔽 测交变光时，负载电阻不宜过大 光电导效应 定义：光照变化引起半导体材料电导变化的现象。 光敏电阻 利用半导体光电导效应制成的器件称为光电导器件，也称光敏电阻。 光敏电阻材料：主要是硅、锗和化合物半导体，例如：硫化镉（CdS），锑化铟（InSb）等。 工作机理： 当入射光子使半导体中的电子由价带跃迁到导带时，导带中的电子和价带中的空穴均参与导电，其阻值急剧减小，电导增加。 光敏电阻分类 本征型：当入射光子的能量等于或大于半导体材料的禁带宽度Eg时，激发一个电子－空穴对，在外电场的作用下，形成光电流。 7、暗电阻和暗电流： 光敏电阻在黑暗时