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第七章 金属化 7.1 引 言 金属化是芯片制造过程中在绝缘介质膜上淀积金属 膜以及随后刻印图形以便形成互连金属线和集成电路的孔填充塞的过程。金属化是化学气相淀积、溅射、光刻、刻蚀、化学机械平坦化等单项工艺的工艺集成。 芯片金属化技术术语 1. 互连指导电材料如铝、多晶硅或铜制成的连线用以传输电信号 2. 接触是指硅芯片内的器件与第一金属层之间在硅表面的连接 3. 通孔是穿过各层介质层从某一金属层到相邻的另一金属层形成电通路的开口 4. 填充薄膜是指金属薄膜填充通孔以便在两层金属层之间形成电连接。 现代集成电路对金属膜的要求 1. 电阻率低：能传导高电流密度 2. 粘附性好：能够粘附下层衬底实现很好的电连接，半导体与金属连接时接触电阻低 3. 易于淀积：容易成膜 4. 易于图形化：对下层衬底有很高的选择比，易于平坦化 5. 可靠性高：延展性好、抗电迁徙能力强 6. 抗腐蚀性能好 7. 应力低：机械应力低减小硅片的翘曲，避免金属线断裂、空洞。 集成电路金属化技术常用的金属种类 铝 铝铜合金 铜 阻挡层金属 硅化物 金属填充塞 集成电路金属化技术常用金属的熔点和电阻率 金属化工艺 物理气相淀积（PVD） 化学气相淀积（CVD） 金属淀积系统 1. 蒸发 2. 溅射 3. 金属CVD 4. 铜电镀 7.2 金属化技术 铝 铝的优点