光辐射的调制概述.ppt

第七章 光辐射的调制 7.1 机械调制 7.2 电光调制 7.3 声光调制 7.4 磁光调制 7.1 机械调制 7.2 电光调制 在强电场作用下介质折射率改变而产生的光调制。适用于单色光源。 7.3 声光调制 利用超声波引起介质折射率变化而产生的光调制。 7.4 磁光调制 一、磁光效应 与X轴对应的主折射率： 与Y轴对应的主折射率： 式中，no为KDP晶体o光折射率， 为电光系数。 X、Y方向两偏振光射出晶体时有光程差: 则相位差为： 半波电压 : 造成光程差 2. 的横向电光效应 光传播方向与电场方向垂直 对KDP晶体采用45°-Z切。强电场E//Z轴,KDP变为双轴晶体。入射光沿X轴方向进入晶体，其偏振方向与Z、Y成45°，在晶体中分解为Z、Y方向两个振幅相同的线偏振光。 与Z轴对应的主折射率： 与Y轴对应的主折射率： 式中ne是晶体e光折射率，E=U/d，U为外加电压。 两个线偏振光射出晶体时有光程差： 则相位差为： 消除自然双折射 横向电光效应的优点： 适当地增加 L/d ，就可以增强电光效应的作用而降低晶体上所需的电压；电极设在横向，不影响光的传播；在外加电压 U一定时，加长晶体通光长度并不影响晶体内的电场强度，因而可以加长晶体长度获得较大的相位延迟。 半波电压