2半导体基础理论能带与载流子.ppt

半导体基础理论 2014-11-12 能带与载流子 载流子的物理模型 电子能带模型 载流子的产生 平衡载流子的浓度 小结 硅晶格 能带隙与材料的分类 带隙能的测量 本征激发与本征半导体 掺杂 平衡载流子浓度 载流子的产生与复合 载流子的产生 复 合 Analogy for Thermal Equilibrium There is a certain probability for the electrons in the conduction band to occupy high-energy states under the agitation of thermal energy (vibrating atoms) 导带内的电子：温度 T 时的热力学平衡条件下占据导带的电子的数量 (n) 电子能量状态密度 g(E)（Density of States） 实际半导体中： EC - EF ? k0T， 所以在导带底附近 E - EF ? k0T 施主能级与受主能级的能带模型Donor / Acceptor Levels (Band Model) 掺杂半导体中的载流子浓度 小结 载流子的物理模型 （电子与空位） 电子能带模型 -能带的形成 -能带隙 -导体、半导体、绝缘体能带模型的区别 载流子的产生 （热激发与光照激发） 本征半导体与非本征半导体 载流子的平衡浓度 -热力学平衡条件 -能量为E的量子态被一个电子占据的几率（费米分布函数） -费米能级：处于热平衡状态时，系统增加一个电 子所引起系统自由能的变化；被电子占据的几率为1/2 -本征载流子浓度 （与能带结构的关系，与温度的关系） 非本征半导体中的载流子 -杂质能级的能带模型 -载流子浓度与温度的关系 Dopant Ionization (Band Model) Electrons and Holes (Band Model) Electrons and holes tend to seek lowest-energy positions Electrons tend to fall Holes tend to float up (like bubbles in water) Dependence of EF on Temperature n(ni, Ei) and p(ni, Ei) In an intrinsic semiconductor, n = p = ni and EF = Ei : Dopant Ionization Consider a phosphorus-doped Si sample at 300K with ND = 1017 cm-3. What fraction of the donors are not ionized? Answer: Suppose all of the donor atoms are ionized. Then Probability of non-ionization ? Nondegenerately Doped Semiconductor Recall that the expressions for n and p were derived using the Boltzmann approximation, i.e. we assumed The semiconductor is said to be nondegenerately doped in this case. Degenerately Doped Semiconductor If a semiconductor is very heavily doped, the Boltzmann approximation is not valid. In Si at T=300K: Ec-EF 3kT if ND 1.6x1018 cm-3 EF-Ev 3kT if NA 9.1x1017 cm-3 The semiconductor is said to be degenerately doped in this case. Terminology: “n+” ? degenerately n-type doped. EF ? Ec “p+” ? degenerately p-type doped. EF ?